姚明秋
- 作品数：19 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程轻工技术与工程电气工程更多>>
- 一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液
- 本发明提供了一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液。所述的刻蚀方法首先在单晶硅片表面通过热氧化方法生长一层氧化硅，再通过光刻方法在单晶硅片表面形成待刻蚀图形，随后将单晶硅片上待刻蚀图形表面的氧化硅腐蚀干净，之后将单晶硅片浸入加热后的...
- 姚明秋唐彬杨杰席仕伟
- 文献传递
- 单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制被引量：6
- 2016年
- 针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势。最后,基于添加剂对疏水性单晶硅材料的作用机理及表面张力调节,表面活性剂和酒精类添加剂之间的相互作用分析了刻蚀形貌发生变化的原因。以典型悬臂梁-质量块的制作为例,验证了采用该单晶硅刻蚀形貌控制方法可以获得微加速度计光滑的悬臂梁表面和无需凸角补偿的完整质量块。相比于其它制作工艺,该方法简单、易操作,有利于提高微机电器件的性能。
- 姚明秋唐彬苏伟
- 关键词：单晶硅湿法刻蚀形貌控制表面粗糙度
- 一种八梁对称硅微加速度计
- 本发明提供了一种八梁对称硅微加速度计。所述电容式微加速度计从上到下包括上硅电极板、敏感芯片和下硅电极板三部分。敏感芯片为“质量块—悬臂梁”微结构。悬臂梁总共八根，对称分部在质量块四周，质量块处于中间水平位置。质量块厚度和...
- 唐彬谢国芬席仕伟程永生张德姚明秋
- 文献传递
- 一种全金属电容极板微加速度传感器
- 本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏...
- 唐彬席仕伟姚明秋程永生李玉萍王旭光沈朝阳谭刚
- 文献传递
- TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状被引量：2
- 2014年
- 在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。
- 姚明秋苏伟唐彬王芳
- 关键词：TRITON腐蚀速率
- 一种压电式微加速度传感器
- 本实用新型提供了一种压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层...
- 孙远程姚明秋苏伟
- 文献传递
- Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响
- 2015年
- 在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对Zn O薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。
- 王旭光姚明秋席仕伟徐韩
- 关键词：溅射溅射功率
- 一种压电式微加速度传感器
- 本发明提供了一种压电式微加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层置于...
- 孙远程姚明秋苏伟唐彬陶逢刚曲兵兵
- 文献传递
- AlN压电薄膜的制备工艺被引量：2
- 2013年
- 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。
- 陈颖慧王旭光席仕伟施志贵姚明秋
- 关键词：ALN薄膜射频反应磁控溅射
- 不同阳极键合结果的影响因素研究被引量：2
- 2015年
- 本文对阳极键合产生的气泡形貌、键合电流和Na离子积聚进行了研究,通过对硅片三种不同处理方式研究其对气泡产生的影响,处理方式包括亲水、疏水和未处理,结果表明经亲水处理的硅片可有效减少气泡的尺寸和数量。键合电流下降的速度与硅片处理方式有关,温度和玻璃中水分子的含量会影响键合峰值电流。玻璃表面钠离子堆积的数量与硅片处理方式和温度存在一定关系。
- 王芳姚明秋
- 关键词：阳极键合亲水疏水峰值电流
