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文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 14篇晶体管
  • 12篇场效应
  • 11篇场效应晶体管
  • 10篇晶体
  • 8篇有机半导体
  • 8篇半导体
  • 7篇有机场效应晶...
  • 4篇有机半导体材...
  • 4篇绝缘
  • 4篇开关比
  • 4篇半导体材料
  • 3篇电极
  • 3篇噻吩
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  • 2篇有机薄膜晶体...
  • 2篇阵列电极
  • 2篇三苯
  • 2篇三苯基
  • 2篇双模

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇孙艳明
  • 14篇刘云圻
  • 14篇朱道本
  • 14篇于贵
  • 9篇王鹰
  • 9篇狄重安
  • 7篇吴卫平
  • 5篇肖恺
  • 4篇徐新军
  • 4篇胡文平
  • 3篇马永强
  • 2篇翟锦
  • 2篇高希珂
  • 2篇王红梅
  • 2篇张德清
  • 2篇江雷
  • 2篇胡平安
  • 1篇付磊

传媒

  • 1篇2005年纳...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
场效应增强型有机发光二极管
一种场效应增强型有机发光二极管,包括衬底、阳极、有机层、阴极,介电层,栅极;其为垂直构造,在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上,顺序分别构筑各功能层,至少一层有机膜和阴极,然后沉积介电层,栅极。本发明的有机发光二极管,结构新...
于贵狄重安刘云圻徐新军孙艳明王鹰朱道本
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一种二噻吩基三并噻吩化合物及制备方法和应用
一种二噻吩基三并噻吩化合物,具有高迁移率的、良好共轭性的噻吩分子,其制备方法为:将二溴三并噻吩和2-噻吩硼酸溶于四氢呋喃中,加入四(三苯基膦)钯和Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>水溶液,氮气氛围下...
刘云圻孙艳明马永强肖恺于贵朱道本
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基于聚合物绝缘材料和并联噻吩的具有高性能的有机薄膜晶体管
Rencently, organic thin-film transistors (OTFTs) have received special attention due to their promise in flexi...
孙艳明刘云圻马永强狄重安王鹰吴卫平于贵胡文平朱道本
关键词:聚乙烯醇有机薄膜晶体管
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一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
一种低操作电压有机场效应晶体管,包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极,由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道,有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层,上面是有机主体半导体层...
刘云圻吴卫平高希珂王鹰狄重安孙艳明于贵朱道本
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一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
一种低操作电压有机场效应晶体管,包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极,由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道,有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层,上面是有机主体半导体层...
刘云圻吴卫平高希珂王鹰狄重安孙艳明于贵朱道本
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一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法,其结构包括衬底,栅极,绝缘层,有机芘氧自由基半导体层,源电极和漏电极;其方法包括栅极金属的沉积及图案化;绝缘层的沉积;有机芘氧自由基半导体材料的沉积;源电极...
刘云圻王鹰张德清王红梅狄重安吴卫平孙艳明于贵朱道本
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从增强型转变成耗尽型的有机场效应晶体管及制备方法
本发明涉及有机场效应晶体管技术领域,公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积;绝缘层的沉积;插入半导体层的沉积及有机主体...
刘云圻吴卫平王鹰孙艳明狄重安徐新军于贵朱道本
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光强度调节的场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种具有光强度调节的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。与传统的场效应晶体管不同,电流的形成不是靠电场或磁场,而是靠光场,且电流的大小可由光的强度来调控。所述的场效应晶体管是以高掺杂硅为基材,在热氧化的二...
刘云圻肖恺孙艳明胡平安翟锦于贵胡文平江雷朱道本
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有机场效应晶体管的制备及其性能研究
在过去的五十多年里,场效应晶体管器件的出现极大地促进了科技的进步。它是当今社会信息科技的重要组成部分。有机场效应晶体管是最近20年才发展起来的,由于其很多独特的性能已迅速引起了人们的关注并广泛被研究。   本论文主要集...
孙艳明
关键词:有机薄膜晶体管有机半导体材料聚合物绝缘材料光电性质
一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法,其结构包括衬底,栅极,绝缘层,有机芘氧自由基半导体层,源电极和漏电极;其方法包括栅极金属的沉积及图案化;绝缘层的沉积;有机芘氧自由基半导体材料的沉积;源电极...
刘云圻王鹰张德清王红梅狄重安吴卫平孙艳明于贵朱道本
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共2页<12>
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