您的位置: 专家智库 > >

庄志强

作品数:107 被引量:440H指数:11
供职机构:华南理工大学更多>>
发文基金:广东省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 90篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 42篇化学工程
  • 30篇一般工业技术
  • 23篇电气工程
  • 19篇电子电信
  • 8篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇冶金工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 43篇陶瓷
  • 21篇铁电
  • 16篇溶胶
  • 16篇钛酸
  • 15篇钛酸钡
  • 14篇压电
  • 13篇粉体
  • 12篇BATIO
  • 10篇掺杂
  • 9篇铁电陶瓷
  • 8篇导电
  • 8篇溶胶-凝胶法
  • 8篇凝胶法制备
  • 7篇电容
  • 7篇电容器
  • 7篇压电陶瓷
  • 7篇压电效应
  • 7篇钛酸铅
  • 7篇PMN-PT
  • 6篇焊点

机构

  • 107篇华南理工大学
  • 12篇信息产业部电...
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇佛山教育学院
  • 1篇华南农业大学
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇华中理工大学
  • 1篇香港中文大学
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇深圳先进技术...

作者

  • 107篇庄志强
  • 47篇王歆
  • 29篇陆裕东
  • 11篇王悦辉
  • 11篇刘勇
  • 9篇恩云飞
  • 9篇何小琦
  • 6篇苏滔珑
  • 6篇刘波
  • 5篇李竟先
  • 5篇伍建新
  • 5篇吴基球
  • 4篇刘勇
  • 4篇周海牛
  • 4篇罗遂斌
  • 4篇刘保岭
  • 3篇林宙峰
  • 2篇吕鹏程
  • 2篇盘耀东
  • 2篇邓毅华

传媒

  • 17篇华南理工大学...
  • 8篇电子元件与材...
  • 7篇材料导报
  • 6篇陶瓷学报
  • 6篇中国陶瓷
  • 5篇硅酸盐学报
  • 5篇无机材料学报
  • 4篇稀有金属材料...
  • 4篇功能材料
  • 4篇陶瓷研究与职...
  • 3篇第六届全国电...
  • 2篇物理学报
  • 2篇中国陶瓷工业
  • 2篇稀有金属
  • 2篇压电与声光
  • 2篇第十届全国青...
  • 2篇第二届全国敏...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 7篇2009
  • 11篇2008
  • 18篇2007
  • 4篇2006
  • 14篇2005
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 6篇2002
  • 7篇2001
  • 5篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 4篇1993
  • 1篇1992
  • 5篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
107 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
聚丙烯酸对BaTiO_3颗粒的分散及其机理研究
2008年
通过沉降实验及FT-IR分析,研究了分散剂PAA对BaTiO3颗粒的分散机理。结果表明:PAA电离的RCOO-吸附在BaTiO3颗粒表面形成的Ba-OH+2正电中心,产生静电稳定作用和空间位阻作用,从而使BaTiO3颗粒分散。当PAA加入量为0.3wt%,pH=10时,PAA完全电离,吸附达饱和,可以得到高分散、高稳定的浆料。
罗遂斌庄志强刘勇林宙峰
关键词:聚丙烯酸BATIO3
Ba_(1-x)K_xPbO_3系导电陶瓷的电性能研究被引量:5
2005年
采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒'S'形状变化, 当掺杂量为3%~5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.
陆裕东王歆庄志强
关键词:BAPBO3导电陶瓷阻温特性
倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散被引量:2
2010年
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快速扩散导致原本较为稳定的Ni(V)扩散阻挡层发生快速的界面反应,造成Al互连金属与焊料的直接接触.Al原子在电子风力作用下沿电子流方向向下迁移造成窗口附近焊料中Al原子含量逐步上升,同时,空位的反向迁移、聚集形成过饱和,导致Al互连中形成大面积空洞.焊料中的Sn,Pb原子在化学势梯度和压应力作用下形成向上的原子通量,原子扩散方向与浓度梯度方向一致,使Al互连中形成空洞的同时,出现凸点焊料对Al互连的侵蚀现象.整个电迁移过程中,Al原子和Sn,Pb原子在各自的主导作用力的驱动下,发生着持续的互扩散,直至互连结构最终因质量通量的差异而发生开路失效.
陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
关键词:倒装芯片凸点电迁移扩散
锆钛酸锅多晶体的压电各向异性的研究
庄志强薛英杰郑洁晖
关键词:压电效应多晶压电晶体各向异性导纳锆钛酸铅瓷
钛酸钡基厚薄膜PTCR的研究被引量:1
2005年
介绍了钛酸钡基厚、薄膜PTCR的制备方法与研究进展。射频磁控溅射和溶胶-凝胶成膜技术是制备陶瓷PTCR薄膜的较理想的方法。陶瓷PTCR厚膜技术由于具有成本低和较好的市场前景受到人们的高度重视。目前钛酸钡基PTCR厚、薄膜技术的研究已经取得了较大的进步和发展。PTCR膜材正向着低室温电阻、高升阻比和集成化的方向发展。
苏滔珑庄志强
关键词:钛酸钡厚膜
改性PLZT陶瓷偏压压电效应的研究被引量:1
2000年
本文讨论了铌和钡改性的PLZT 10 /6 5/35铁电陶瓷的横向场诱应变X2 ,不同温度及偏压下的介电常数K33,平面机电耦合系数kp 和弹性柔顺系数SE1 1 ,并计算了等效压电常数d31 。铌和钡改性的PLZT铁电陶瓷在 15kV/cm的电场下横向应变分别为 - 5.1× 10 - 4 和 - 4 .5× 10 - 4 。实验表明它们的kp和d31 值可由直流偏压控制 ,室温下kp 的饱和值分别为 0 .53和0 .52 ,|d31 |的最大值分别为 2 30pC/N和 2 2 5pC/N ,且压电常数的温度系数都比PMN -PT系陶瓷小得多。
伍建新庄志强
关键词:偏压压电效应锆钛酸铅镧铁电陶瓷
全文增补中
TiO_2纳米颗粒水热法制备研究进展及反应机理的初步研究被引量:25
2001年
文章在比较了纳米TiO2 的湿化学制备方法的特点后指出了水热法制备的优点 ,回顾了水热法的发展历史。论述了水热法制备纳米颗粒的各种方法及研究进展 ,对于水热反应机理作了初步研究分析 ,指出了水热法制备金红石型TiO2 纳米颗粒的技术关键。文章提出采用机械力化学方法在室温下有效脱去物理吸附水和羟基 ,从而使缩短晶化过程和降低晶化温度成为可能。
李竟先吴基球庄志强
关键词:水热法二氧化钛
钛酸钡粉体的表面包覆与电子陶瓷改性被引量:5
2006年
为实现改性杂质与钛酸钡粉体的均匀混合,达到对材料微结构、相结构和电学特性的准确控制,对水热纳米晶钛酸钡粉体进行了改性杂质的非均匀形核表面淀积包覆.文中利用包覆Y(OH)3后的钛酸钡粉体在水中的毛细管浸润性得到改善、以及两种工艺方法制备的粉体在液-固分离离心过程中离心转速对液-固分离率的影响,判断Y(OH)3对钛酸钡粉体的包覆效果;探讨了掺杂工艺对Y掺杂钛酸钡陶瓷半导化和室温电阻率的影响,以及用非均匀形核表面淀积包覆工艺制备的陶瓷PTCR和细晶介质陶瓷的性质.润湿性实验显示,利用表面淀积包覆工艺确实能获得良好的包覆效果.
庄志强苏滔珑刘波盘耀东刘勇王歆
关键词:钛酸钡粉体表面包覆电子陶瓷电介质
PMN-PT弛豫铁电粉体和薄膜的无机盐-凝胶法制备被引量:8
2002年
以无机盐为原材料、柠檬酸和EDTA为复合螫合剂,乙二醇为溶剂,合成稳定和均匀的Pb—Mg—Nb—Ti的复合有机盐前驱溶液;通过TGA,DTA和XRD等方法分析复合有机盐前驱物凝胶的热解过程和.PMN—PT钙钛矿相形成的影响因素,研究近全钙钛矿相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN—PT)弛豫铁电粉体和薄膜的制备。
王歆庄志强
关键词:溶胶-凝胶法无机盐热分解钙钛矿相
钛酸钡基PTCR的电压效应测量方法的研究被引量:5
2002年
PTC(正温度系数)热敏电阻器存在电压效应,此电压效应对PTC热敏电阻器的工作特性有明显的影响,本文讨论了用“脉冲放电法”测量PTC热敏电阻的电压效应的工作原理。用自行设计的电路测量了PTC热敏电阻器的电压效应。实验证明陶瓷PTCR(正温度系数热敏电阻器)的确存在电阻的电压效应。随着外加电压的升高,PTCR的电阻值明显下降。
刘勇庄志强
关键词:钛酸钡基PTCR脉冲放电法冲击电压发生器正温度系数热敏电阻
共11页<12345678910>
聚类工具0