陆裕东
- 作品数：61 被引量：89H指数：7
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金中国博士后科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺一般工业技术更多>>
- BaPbO_3导电薄膜的制备、结构及性能研究被引量：7
- 2007年
- 以可溶性无机盐为原料,EDTA、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜．利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定,具体分析了Pb／Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3薄膜导电性能的影响．实验结果表明: Pb／Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素,Pb／Ba比的上升和晶粒的长大,都会提高BaPbO3薄膜的导电性能;热处理次数对BaPbO3薄膜方阻的影响与薄膜厚度有关．在700℃下保温10min的快速热处理方法,可以获得钙钛矿结构、薄膜方阻为5．86Ω·□-1的BaPbO3薄膜．
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：陶瓷SOL-GEL
- 受主掺杂BaPbO_3中的非化学计量比被引量：1
- 2007年
- 采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10^(-12)～10~5Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO_3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO_3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.
- 陆裕东王歆庄志强刘保岭刘勇
- 关键词：受主
- 钙钛矿结构导电陶瓷的导电性及其掺杂影响被引量：10
- 2005年
- 介绍了钙钛矿结构导电陶瓷的研究与发展,对 LaGaO_3、(LaSr)FeO_(3-δ)等含 La 导电陶瓷和 BaPbO_3等不含 La 导电陶瓷的结构、导电机理和应用进行了详细的论述,分析了掺杂对各系列钙钛矿型导电陶瓷电导率的影响。
- 王歆陆裕东庄志强
- 关键词：钙钛矿导电陶瓷氧空位电导率
- 热处理对BaPbO_3薄膜化学组成及薄膜电阻的影响被引量：1
- 2007年
- 以可溶性无机盐为原料,乙二氨四乙酸、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用X射线衍射和能量散射X射线能谱表征方法,并结合薄膜方块电阻的测定,探讨了热处理方式和热处理温度对薄膜化学组成及薄膜电阻的影响.研究表明,与常规热处理技术相比,采用快速热处理工艺制备BaPbO3薄膜需要更高的热处理温度,同时,随着热处理温度的升高,薄膜中的Pb/Ba摩尔比下降,导致薄膜方块电阻上升.采用常规热处理方法,在670℃下保温10min可以制备膜厚约2.5μm、薄膜方块电阻为32Ω/□的BaPbO3薄膜.
- 陆裕东王歆庄志强刘勇
- 关键词：溶胶-凝胶法化学组成方块电阻
- 受主掺杂铅酸钡陶瓷的缺陷补偿机理(英文)被引量：4
- 2007年
- 由非化学计量比引起的晶体缺陷是影响材料电学和光学性能的主要因素之一,而掺杂是造成材料非化学计量比的一个重要因素。在未掺杂铅酸钡(BaPbO3)缺陷化学研究的基础上,采用高温平衡电导法分析了铝(Al)受主掺杂BaPbO3的缺陷补偿机理,建立了受主掺杂BaPbO3的缺陷化学模型。具体分析了受主杂质对材料高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下的主导缺陷转变点的影响。在高氧分压下,受主掺杂BaPbO3的缺陷行为由本征缺陷所控制,受主掺杂对平衡电导率的影响不大。随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制转变为非本征缺陷控制,受主掺杂可以提高平衡电导率。在高氧分压和低氧分压区域的主导缺陷转变点因受主杂质的存在而向高氧分压方向移动。
- 陆裕东王歆庄志强
- 关键词：受主
- 开关电源中光电耦合器退化监测方法和装置
- 本发明提供一种开关电源中光电耦合器退化监测方法，包括如下步骤：对开关电源输出端负载施加电流脉冲信号，获取所述开关电源的响应信号；将所述响应信号放大后整形为方波脉冲序列；读取所述方波脉冲序列中的方波脉冲个数，通过所述方波脉...
- 李梦奇史峥宇陆裕东冯敬东孔学东王晓晗恩云飞黄云
- 文献传递
- 电迁移引起的倒装芯片互连失效被引量：2
- 2010年
- 采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。
- 陆裕东何小琦恩云飞
- 关键词：倒装芯片电迁移互连
- 一种电迁移失效的剩余寿命预测方法和装置
- 本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法，包括步骤：建立MOS器件的电迁移寿命模型；根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度，以及电迁移寿命模型，获取正常电迁移失效的寿命T1；根据目标预兆点T2和第二环境温度，...
- 陈义强恩云飞章晓文黄云陆裕东
- 受主掺杂BaPbO_3陶瓷的缺陷结构
- 2007年
- 采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,阐明了受主掺杂BaPbO3的缺陷结构,解释了材料的导电机理.高氧分压下,Pb离子空位缺陷占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变,受主杂质成为主导缺陷,电荷补偿缺陷为空穴;在低氧分压下,电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位.受主掺杂浓度的下降,导致高温电导率下降,并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动,同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动.
- 王歆陆裕东庄志强
- 关键词：BAPBO3受主
- 热载流子注入失效预警电路
- 本发明公开一种热载流子注入失效预警电路，包括应力产生模块、差分测试模块、失调电压消除模块、非重叠时钟产生模块、比较模块、输出模块；应力产生模块的输出端与差分测试模块的输入端相连，差分测试模块的输出端通过失调电压消除模块与...
- 陈义强王彬恩云飞陆裕东黄云
- 文献传递
