张雄文
- 作品数：27 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
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- 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
- 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
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- 基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管
- 本实用新型公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝房玉龙吕元杰顾国栋张雄文
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- 垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法
- 本发明提供了一种垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在重掺杂P型金刚石衬底的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和...
- 周闯杰何泽召郭建超蔚翠张雄文高学栋刘庆彬冯志红
- 天线集成石墨烯PIN结太赫兹探测器
- 本实用新型公开了一种天线集成石墨烯PIN结太赫兹探测器，属于半导体器件领域。本实用新型包括衬底、设于衬底上的平面天线和石墨烯PIN结，所述平面天线与石墨烯PIN结之间设有空隙；在所述石墨烯PIN结的P区和N区设有第一欧姆...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
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- 硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管器件技术领域，制备方法包括在金刚石衬底的上表面形成氢终端；在氢终端的上表面形成源极和漏极；在源极的上表面、漏极的上表面、源极和漏极之间的氢终端的上表面...
- 蔚翠何泽召周闯杰郭建超马孟宇余浩刘庆彬张雄文宋旭波冯志红
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- RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
- 2007年
- 依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.
- 齐海涛李亚丽张雄文冯震商耀辉郭维廉
- 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管电流峰谷比
- 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
- 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
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- InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
- 2008年
- 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
- 李亚丽张雄文冯震周瑞张志国
- 关键词：谐振隧穿二极管电流峰谷比
- 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
- 本实用新型公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本实用新型包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本实用新...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
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- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
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