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方杰

作品数：43 被引量：26H指数：2
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术动力工程及工程热物理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇芯片
  • 14篇衬板
  • 12篇IGBT模块
  • 10篇母排
  • 10篇封装
  • 7篇模块封装
  • 7篇绝缘
  • 6篇压接
  • 6篇半导体
  • 5篇压接式
  • 5篇基板
  • 5篇集电极
  • 5篇焊料
  • 5篇IGBT
  • 4篇对焊
  • 4篇陶瓷层
  • 4篇模组
  • 4篇绝缘性
  • 4篇绝缘性能
  • 4篇功率半导体

机构

  • 43篇株洲南车时代...

作者

  • 43篇彭勇殿
  • 43篇方杰
  • 36篇常桂钦
  • 25篇刘国友
  • 21篇肖红秀
  • 16篇曾雄
  • 11篇贺新强
  • 9篇颜骥
  • 7篇彭明宇
  • 4篇赵洪涛
  • 4篇万正芬
  • 2篇黄建伟
  • 2篇唐龙谷
  • 2篇刘可安
  • 2篇徐凝华
  • 2篇李寒
  • 2篇王世平
  • 2篇赵德良
  • 1篇李世平
  • 1篇万超群

传媒

  • 3篇大功率变流技...

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
压接式绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在...
李继鲁窦泽春方杰常桂钦肖红秀彭勇殿刘国友
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基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构
本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明...
李继鲁方杰常桂钦贺新强曾雄彭明宇彭勇殿颜骥
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一种芯片焊接方法
本发明公开了一种芯片焊接方法，该方法包括：根据芯片的焊接位置，在衬板的相应位置处设置键合引线，以在衬板上确定出焊片和芯片的定位区域；将焊片放入定位区域中；将芯片放入定位区域中，使得芯片覆盖在相应的焊片上；采用预设焊接工艺...
曾雄李寒常桂钦方杰彭勇殿李继鲁贺新强
压接式半导体模块及其制作方法
本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。...
方杰李继鲁窦泽春肖红秀常桂钦彭勇殿刘国友
功率半导体器件
本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和...
窦泽春肖红秀李继鲁方杰常桂钦刘国友彭勇殿
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一种功率半导体模块
本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。...
刘国友李继鲁窦泽春刘可安黄建伟彭勇殿常桂钦方杰肖红秀
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焊层空洞对IGBT模块热应力的影响被引量：13
2014年
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模块最高结温与最大等效应力的影响;探讨了焊层空洞对模块瞬态热阻抗的影响。
吴煜东常桂钦彭勇殿方杰唐龙谷李继鲁
关键词：IGBT模块空洞率热分析应力分析
一种IGBT衬板结构
本发明公开了一种IGBT衬板结构，包括衬板以及设置于衬板上的衬板门极电路、IGBT芯片、FRD芯片和母排接焊区，所述衬板门极电路位于衬板上的两侧，所述母排接焊区位于衬板的中部区域，所述IGBT芯片、FRD芯片位于母排接焊...
常桂钦彭勇殿吴煜东李继鲁方杰周望君贺新强
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IGBT子模组单元及其封装模块
本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGB...
刘国友窦泽春彭勇殿李继鲁肖红秀方杰常桂钦忻兰苑徐凝华王世平
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陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法
本申请公开了一种陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法，将陶瓷衬板密封在非金属外壳中，并在所述非金属外壳内灌注绝缘胶，使所述陶瓷衬板与周围环境保持绝缘，所述陶瓷衬板的两面均覆盖有金属层，所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外...
李继鲁方杰万正芬曾雄赵洪涛彭勇殿吴煜东
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