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李兆辰

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇硅衬底
  • 5篇衬底
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇微米
  • 2篇金属
  • 2篇金属颗粒
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇硅
  • 2篇大尺寸
  • 1篇阳极氧化铝
  • 1篇阳极氧化铝模...
  • 1篇氧化铝模板
  • 1篇磷酸
  • 1篇孔径
  • 1篇薄壁
  • 1篇冰水

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇李兆辰
  • 5篇王文静
  • 5篇赵雷
  • 2篇刁宏伟
  • 2篇周春兰
  • 2篇李海玲

传媒

  • 1篇太阳能

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究被引量：3
2013年
将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响。实验结果表明,可在多晶硅上获得平均孔径为5～20μm、深为1～3μm的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3%,较处理之前降低了60%。
李兆辰赵雷刁宏伟李海玲周春兰王文静
关键词：电化学腐蚀多晶硅
一种制备大尺寸硅孔阵列的方法
一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，步骤如下：首先选择低电阻率的p型硅衬底，在表面上沉积金属颗粒，然后将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化，在恒流条件下，通过控制电流密度和腐蚀时间，获得百纳米到微米量级...
赵雷李兆辰王文静
一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法
一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法，步骤如下：(1)清洗硅衬底；(2)在清洗后的硅衬底表面上沉积一层厚度为500-1000纳米的铝层；(3)对沉积在硅衬底上的铝层进行阳极氧化，其中，将阳极氧化槽置于冰水混和...
李兆辰赵雷王文静
文献传递
一种制备大尺寸硅孔阵列的方法
一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，步骤如下：首先选择低电阻率的p型硅衬底，在表面上沉积金属颗粒，然后将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化，在恒流条件下，通过控制电流密度和腐蚀时间，获得百纳米到微米量级...
赵雷李兆辰王文静
文献传递
电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究
学硅技术是一种常用的制备各种尺寸硅孔的技术,被广泛用于微纳加工、单晶硅减反射等领域.将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响.实验结果表明...
李兆辰赵雷刁宏伟李海玲周春兰王文静
关键词：电化学腐蚀多晶硅
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