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李忠辉

作品数：98 被引量：84H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇期刊文章
  • 24篇会议论文

领域

  • 78篇电子电信
  • 9篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇氮化镓
  • 15篇迁移率
  • 13篇GAN
  • 13篇衬底
  • 12篇电子迁移率
  • 12篇晶体管
  • 11篇异质结
  • 11篇MOCVD
  • 10篇二维电子
  • 10篇二维电子气
  • 10篇高电子迁移率
  • 10篇高电子迁移率...
  • 10篇ALGAN/...
  • 9篇金属有机物
  • 9篇分子束
  • 9篇分子束外延
  • 9篇ALGAN/...
  • 8篇SIC衬底
  • 8篇SI基
  • 8篇GAN薄膜

机构

  • 90篇南京电子器件...
  • 10篇长春光学精密...
  • 2篇华莹电子有限...
  • 1篇东南大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇信息产业部
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇南京国博电子...
  • 1篇山西烁科晶体...

作者

  • 98篇李忠辉
  • 42篇董逊
  • 29篇张东国
  • 29篇彭大青
  • 27篇李亮
  • 25篇周建军
  • 23篇陈堂胜
  • 18篇陈辰
  • 17篇罗伟科
  • 17篇李传皓
  • 15篇孔月婵
  • 14篇倪金玉
  • 14篇杨乾坤
  • 12篇姜文海
  • 10篇任春江
  • 8篇孔岑
  • 8篇尹志军
  • 8篇高汉超
  • 7篇焦刚
  • 7篇潘磊

传媒

  • 49篇固体电子学研...
  • 10篇第13届全国...
  • 6篇人工晶体学报
  • 5篇半导体技术
  • 3篇发光学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇兵工学报
  • 1篇长春光学精密...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇第十届固体薄...
  • 1篇第十四届全国...
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年份

  • 6篇2024
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  • 1篇2021
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  • 4篇2017
  • 2篇2016
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  • 4篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 12篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2004
共 98 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜
Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究
2008年
采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。
姜文海陈辰周建军李忠辉董逊
关键词：响应度
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
2011年
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层
1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
2024年
基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。
谯兵郁鑫鑫李忠辉陶然周建军陈堂胜
关键词：金刚石高电流密度微波功率
MSM型氮化镓紫外探测器研究
2009年
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。
姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊
关键词：紫外探测器宽带隙
高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采...
郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较...
李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国
高电导率p型AlGaN材料被引量：1
2019年
南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。
罗伟科李忠辉孔岑杨乾坤杨峰
关键词：晶体质量MOCVD系统ALGAN
基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究被引量：3
2014年
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。
李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉
关键词：SIC衬底均匀性正交实验
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
2024年
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。
李传皓李忠辉李忠辉张东国彭大青罗伟科
关键词：金属有机化学气相沉积
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