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李亮

作品数：30 被引量：33H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 12篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇MOCVD
  • 7篇迁移率
  • 7篇金属有机物
  • 7篇二维电子
  • 7篇二维电子气
  • 7篇ALGAN/...
  • 7篇GAN薄膜
  • 6篇氮化镓
  • 6篇ALGAN
  • 5篇淀积
  • 5篇气相淀积
  • 5篇化学气相淀积
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇异质结
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇ALN

机构

  • 30篇南京电子器件...
  • 1篇南京大学
  • 1篇美国西北大学

作者

  • 30篇李亮
  • 27篇李忠辉
  • 26篇董逊
  • 18篇张东国
  • 18篇彭大青
  • 11篇罗伟科
  • 11篇周建军
  • 10篇陈辰
  • 9篇孔月婵
  • 9篇倪金玉
  • 8篇姜文海
  • 8篇李传皓
  • 4篇许晓军
  • 4篇杨乾坤
  • 3篇潘磊
  • 3篇孙永强
  • 2篇任春江
  • 2篇张岚
  • 2篇焦刚
  • 2篇陈堂胜

传媒

  • 10篇固体电子学研...
  • 5篇第13届全国...
  • 3篇半导体技术
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2017
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 7篇2008
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉
生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响被引量：2
2011年
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善GaN晶体质量的作用。
彭大青李忠辉李亮孙永强李哲洋董逊张东国
关键词：氮化镓位错
SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HE...
李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜
关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管
文献传递
AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
我们采用金属有机物化学汽相外延技术(MOCVD)研究了在蓝宝石衬底(α-AlO)生长不同Al组分AlGaN(0002)薄膜(0≤x≤0.8)和AlGaN/AIN超晶格结构。通过缓冲层的设计对AlGaN薄膜中的张应变和压应...
刘斌李亮张荣谢自力赵红郑建国韩平修向前陆海陈鹏郑有炓
关键词：MOCVDALGAN表面能应变能
文献传递
原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响
近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对...
罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军
BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究
采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行'极化/退极化'(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓...
孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰
关键词：极化调制二维电子气
文献传递
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长被引量：13
2013年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。
李亮李忠辉罗伟科董逊彭大青张东国
关键词：GAN薄膜MOCVD
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究被引量：2
2017年
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。
李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊
关键词：金属有机物化学气相沉积异质结迁移率
SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究
李忠辉彭大青李亮倪金玉董逊罗伟科张东国李传皓
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
2011年
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层
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