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李素兰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇压强
  • 1篇应力
  • 1篇应力控制
  • 1篇折射率
  • 1篇氢含量
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇力学特性
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇功率
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇SIC薄膜
  • 1篇残余应力

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇田大宇
  • 2篇李素兰
  • 2篇王煜
  • 2篇张国炳
  • 1篇李志宏
  • 1篇陈晟
  • 1篇郭辉
  • 1篇边伟
  • 1篇郝一龙
  • 1篇张海霞

传媒

  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究
本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力...
王煜张海霞田大宇李素兰张国炳郝一龙
关键词：SIC薄膜折射率残余应力应力控制力学特性
文献传递
PECVD SiC材料刻蚀技术研究
在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提...
陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇李素兰边伟
关键词：反应离子刻蚀氢含量功率压强刻蚀速率
文献传递
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共1页<1>
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