杨金
- 作品数：14 被引量：11H指数：2
- 供职机构：安徽大学更多>>
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- 相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>
- 新型双栅MOSFET的亚阈值电势二维模型
- 根据新型双栅MOSFET的工作原理,在氧化层区和沟道耗尽层区引入两个矩形源,借助于半解析法,利用边界条件及衔接条件,求解各个区的二维拉普拉斯方程或泊松方程,为新型双栅MOSFET建立亚阈值条件下的电势二维模型.该模型的优...
- 许会芳代月花徐建彬李宁杨金
- 关键词：亚阈值氧化层
- Boost变换器分叉序列的仿真与理论分析
- 2008年
- 为了揭示DC-DC开关功率变换器运行状态失稳过程中的规律,研究了电流模式控制的Boost变换器分叉序列。首先,对基于电流模式控制的Boost变换器的状态方程,利用龙格-库塔(Runge-Kutta)算法进行了仿真,取每个时钟脉冲时刻的电路状态变量构成庞加莱截面,画出了在参考电流变化方向上的分叉图。然后,利用离散映射迭代法推导出了电流模式控制的Boost变换器分叉序列中各分叉点的值。最后,对理论推导出的值与仿真结果进行了对比。研究结果表明,理论值与仿真结果比较吻合,这为变换器的稳定设计提供了理论依据。
- 胡乃红周宇飞姜学东杨金陈军宁
- 关键词：BOOST变换器
- DC/DC变换器中的斜坡补偿法扩展及其理论分析
- 2007年
- 针对峰值电流模式控制Boost变换器的动力学模型,详细分析了斜坡补偿法控制混沌的原理,并针对占空比D>50%时发生分叉的现象,将传统的锯齿波补偿控制混沌改为三角波扰动,通过仿真发现可以很好地控制混沌且控制结果可以得到原混沌吸引子中的不稳定周期1,而且可以找到最优扰动相位和最小扰动幅度。对此进行理论分析可以给出三角波有效控制的最优相移和幅度的预计,从而为变换器的稳定设计提供了理论指导,有一定的实用价值。
- 杨金
- 关键词：DC/DC变换器斜坡补偿混沌
- 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.
- 杨金周茂秀徐太龙代月花汪家余罗京许会芳蒋先伟陈军宁
- 关键词：复合材料
- DC-DC开关变换器中的混沌现象及其控制的研究
- 混饨,起源于非线性系统对于初始条件的敏感依赖性,作为非线性系统的典型行为,正在越来越广泛的被人们所关注而DC-DC开关变换器属于强的非线性系统,在一定的参数条件下或外界干扰条件下,DC-DC变换器就会产生分岔和混沌现象,...
- 杨金
- 关键词：混沌控制强非线性动力学建模
- 文献传递
- 电荷俘获存储器的过擦现象
- 2014年
- 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法和VASP软件对电荷俘获存储器过擦现象进行了分析研究.通过形成能的计算,确定了含有氮空位缺陷的Si3N4和含有间隙氧缺陷的Hf O2作为研究的对象;俘获能的计算结果表明两种体系对电子的俘获能力比对空穴的大,因而对两体系擦写载流子确定为电子.分别计算了Hf O2和Si3N4擦写前后的能量、擦写前后电荷分布变化、吸附能和态密度,以说明过擦的微观机理.对能量和擦写电荷变化的研究,表明Si3N4相比于Hf O2,其可靠性较差,且Si3N4作为俘获层,在一个擦写周期后,晶胞中电子出现减少现象;界面吸附能的研究表明,Si3N4相比于Hf O2在缺陷处更容易与氧进行电子交换;最后,通过对态密度的分析表明Si3N4和Hf O2在对应的缺陷中均有缺陷能级俘获电子,前者为浅能级俘获,后者为深能级俘获.综上分析表明,Si3N4在氮空位的作用下,缺陷附近原子对电子的局域作用变弱,使得Si3N4作为俘获层时,材料本身的电子被擦出,使得擦操作时的平带偏移电压增大,导致存储器发生过擦.本文的研究结果揭示了过擦的本质,对提高电荷俘获存储器的可靠性以及存储特性有着重要的指导意义.
- 汪家余代月花赵远洋徐建彬杨菲代广珍杨金
- 关键词：HFO2SI3N4第一性原理
- 非挥发性阻变存储器阻变机理及性能研究
- 随着半导体技术节点的不断向前推进，目前主流的基于电荷存储机制的浮栅Flash存储器正面临着严重的技术挑战，如浮栅耦合、电荷泄漏、相邻单元之间的串扰问题等，因此亟需寻找下一代非挥发性存储器。目前，国际上研究较多的新型非挥发...
- 杨金
- 关键词：第一性原理优化设计电学特性
- 缺陷对RRAM材料阻变机理的影响
- 2013年
- 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
- 杨金代月花徐太龙蒋先伟许会芳卢金龙罗京陈军宁
- 关键词：VASPRRAM
- Boost变换器中的斜坡补偿法扩展及其性能评估被引量：3
- 2007年
- DC/DC开关变换器是一类强非线性控制系统,其中的混沌现象及混沌控制的研究是近年来电力电子领域中的一个研究热点。本文针对峰值电流模式控制Boost变换器的动力学模型,详细分析了斜坡补偿法控制混沌的原理,并将其扩展为多个周期信号的补偿方法,同时提出了混沌控制的综合评价标准,以对各种补偿信号的控制结果进行综合评估。评估结果表明:三角波补偿是一种较好的混沌控制手段,且理论分析可以给出有效控制的最优相移和幅度的预计,从而为变换器的稳定设计提供了理论指导,另外相关研究也给出了一般非线性系统中混沌控制的评估方案和思路。
- 杨金周宇飞王诗兵胡乃红陈军宁
- 关键词：BOOST变换器斜坡补偿混沌混沌控制
- RRAM阻变效应的物理机制被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究。对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移势垒能,结果表明,掺杂后体系的氧空位形成能明显减小,掺杂促进了氧空位的形成;无论掺杂和未掺杂的体系,当氧空位存在时禁带宽度会明显减小,且禁带中多出一个占据态的峰,材料的导电能力明显增强。表明氧空位是材料导电的主要因素,杂质起到辅助作用。计算结果与相关实验结果相符合。进一步分析迁移势垒能,说明金属杂质对氧空位产生缔合作用而促使形成团簇,从而对器件的操作电压、工作速度等产生影响。
- 杨金代月花陈军宁徐太龙蒋先伟许会芳
- 关键词：氧空位掺杂第一性原理
