许会芳
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 发文基金：安徽省高等学校优秀青年人才基金国家科技重大专项国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 缺陷对RRAM材料阻变机理的影响
- 2013年
- 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
- 杨金代月花徐太龙蒋先伟许会芳卢金龙罗京陈军宁
- 关键词：VASPRRAM
- 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.
- 杨金周茂秀徐太龙代月花汪家余罗京许会芳蒋先伟陈军宁
- 关键词：复合材料
- 新型双栅MOSFET的亚阈值电势二维模型
- 根据新型双栅MOSFET的工作原理,在氧化层区和沟道耗尽层区引入两个矩形源,借助于半解析法,利用边界条件及衔接条件,求解各个区的二维拉普拉斯方程或泊松方程,为新型双栅MOSFET建立亚阈值条件下的电势二维模型.该模型的优...
- 许会芳代月花徐建彬李宁杨金
- 关键词：亚阈值氧化层
- 基于B样条的明视觉光谱光效率特性曲线拟合被引量：1
- 2007年
- 探索了在MATLAB环境下,基于三次均匀B样条的明视觉光谱光效率特性曲线的拟合方法,解决用一般的曲线拟合方法存在的拟合精度不高或曲线形状畸变的问题。结果表明,采用该方法可以较好地拟合明视觉光谱光效率特性曲线。
- 许会芳
- RRAM阻变效应的物理机制被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究。对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移势垒能,结果表明,掺杂后体系的氧空位形成能明显减小,掺杂促进了氧空位的形成;无论掺杂和未掺杂的体系,当氧空位存在时禁带宽度会明显减小,且禁带中多出一个占据态的峰,材料的导电能力明显增强。表明氧空位是材料导电的主要因素,杂质起到辅助作用。计算结果与相关实验结果相符合。进一步分析迁移势垒能,说明金属杂质对氧空位产生缔合作用而促使形成团簇,从而对器件的操作电压、工作速度等产生影响。
- 杨金代月花陈军宁徐太龙蒋先伟许会芳
- 关键词：氧空位掺杂第一性原理
