柯炼
- 作品数：5 被引量：24H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应被引量：2
- 1998年
- 利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．
- 柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅
- 关键词：锗硅单量子阱退火效应
- 脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
- 1998年
- Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。
- 张胜坤付正文柯炼秦启宗陆昉王迅
- 关键词：脉冲激光沉积电学性质DLTS
- Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点被引量：21
- 1999年
- 介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构．ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射．它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料．
- 柯炼缪熙月魏彦峰王杰王迅
- 关键词：量子点受激发射半导体激光器氧化锌
- 导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
- 1998年
- 用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．
- 林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅
- 关键词：硅基基态
- Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究被引量：1
- 1998年
- 用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。
- 靳彩霞史向华柯炼张保平凌晨余更才王杰候晓远
- 关键词：X射线衍射谱光致发光性质
