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毛维

作品数：187 被引量：14H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 175篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 80篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 95篇势垒
  • 87篇场板
  • 65篇势垒层
  • 57篇晶体管
  • 51篇功率器件
  • 50篇电力
  • 50篇电力电子
  • 50篇电力电子系统
  • 41篇异质结
  • 38篇淀积
  • 38篇肖特基
  • 36篇开关器件
  • 29篇开关
  • 29篇空场
  • 29篇半导体
  • 28篇电子迁移率
  • 28篇迁移率
  • 28篇场效应
  • 26篇化合物半导体
  • 26篇击穿电压

机构

  • 187篇西安电子科技...

作者

  • 187篇毛维
  • 170篇郝跃
  • 106篇杨翠
  • 71篇张进成
  • 48篇杜鸣
  • 46篇马佩军
  • 40篇马晓华
  • 30篇王冲
  • 29篇过润秋
  • 26篇张金风
  • 22篇郑雪峰
  • 13篇许晟瑞
  • 13篇赵胜雷
  • 12篇杨林安
  • 12篇曹艳荣
  • 12篇张延涛
  • 9篇张进城
  • 7篇刘红侠
  • 7篇何云龙
  • 7篇张建奇

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 6篇2023
  • 20篇2022
  • 14篇2021
  • 24篇2020
  • 13篇2019
  • 2篇2018
  • 35篇2017
  • 5篇2016
  • 16篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 16篇2010
  • 19篇2009
  • 1篇2004
共 187 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法
本发明公开了一种InSb红外焦平面探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型...
杨翠马京立张延涛毛维张小雷孟超刘鹏张建奇
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源场板高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其中...
郝跃过润秋毛维张进成马晓华杨翠王冲
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内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法
本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件，主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层；第二势垒层上部依次设有P型块和栅极；第一沟道层、第一势...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军赵胜雷段小玲张进成郝跃
Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(10)，该钝化层(6)上开有凹槽(7)，其中，钝化层...
郝跃过润秋毛维杨翠
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基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件
本发明公开了一种基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层(13)。钝化层内刻有源槽(9)与漏...
毛维佘伟波赵雁鹏李洋洋杨翠张金风郝跃
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漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件
本发明公开了一种漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(15)、衬底(1)、漂移层(3)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)、帽层(10)和栅极(12)...
毛维石朋毫杨翠郝跃
一种垂直功率器件及其制作方法
本发明提供一种垂直功率器件及其制作方法，所述垂直功率器件包括依次设置的漏极金属衬底、第一n<Sup>+</Sup>GaN接触层、n<Sup>+</Sup>GaN过渡层、n<Sup>‑</Sup>GaN渡越层、n<Sup>...
何云龙马晓华郝跃杨凌王冲毛维
文献传递
单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法
本发明公开了一种单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件双向导通特性差，其电路成本高，性能差的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层和源极，该沟道层的两侧设有P型GaN...
毛维谢渊源杨翠赵天龙王树龙郑雪峰张进成郝跃
多路控制复合功能器件
本发明公开了一种多路控制复合功能器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构；每个条状结构从左至右依次设置有左电极...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军张金风张进成郝跃
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管被引量：4
2016年
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.
王冲赵梦荻裴九清何云龙李祥东郑雪峰毛维马晓华张进成郝跃
关键词：双异质结
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