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杜鸣

作品数：78 被引量：28H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇电子电信

主题

  • 32篇势垒
  • 28篇势垒层
  • 21篇电力
  • 21篇电力电子
  • 21篇电力电子系统
  • 21篇场板
  • 18篇开关器件
  • 16篇肖特基
  • 15篇击穿电压
  • 14篇功率开关
  • 14篇功率开关器件
  • 12篇过渡层
  • 11篇开关
  • 9篇电场
  • 9篇电流崩塌
  • 9篇淀积
  • 9篇漏极
  • 9篇晶体管
  • 8篇电场分布
  • 8篇异质结

机构

  • 78篇西安电子科技...

作者

  • 78篇杜鸣
  • 77篇郝跃
  • 52篇毛维
  • 40篇张进成
  • 36篇马佩军
  • 33篇杨翠
  • 21篇郑雪峰
  • 19篇马晓华
  • 15篇张春福
  • 12篇冯倩
  • 12篇杜锴
  • 9篇王冲
  • 9篇曹艳荣
  • 7篇张金风
  • 7篇赵胜雷
  • 6篇代波
  • 6篇董良
  • 5篇张鹏
  • 4篇张建坤
  • 4篇康迪

传媒

  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 5篇2024
  • 4篇2023
  • 17篇2022
  • 10篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 2篇2015
  • 8篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 78 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法
本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件，主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层；第二势垒层上部依次设有P型块和栅极；第一沟道层、第一势...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军赵胜雷段小玲张进成郝跃
基于频率可变脉冲技术的器件表面态陷阱测量方法
本发明公开了一种基于频率可变脉冲技术的器件表面态陷阱测量方法，主要解决现有技术无法测量器件表面态陷阱分布的问题。其实现方案是：在与被测器件电极下相同的半导体材料表面制备两个肖特基接触电极，完成测试图形的制作；对测试图形施...
郑雪峰王士辉董帅帅吉鹏王颖哲杜鸣马晓华郝跃
文献传递
绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法
本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(...
毛维郝跃杨翠李洋洋王冲郑雪峰杜鸣刘红侠曹艳荣
源-漏复合场板垂直型电力电子器件
本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个...
毛维丛冠宇郝跃杜鸣张金风
文献传递
耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法
本发明公开了一种耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN（或GaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源...
冯倩杜锴杜鸣张春福梁日泉郝跃
文献传递
基于沟道电导增强的场效应开关器件
本发明公开了一种基于沟道电导增强的场效应开关器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管的电流崩塌和低击穿电压问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，该势垒层上部依次为渐变掺杂结构的P型块、栅极，P型块左侧为由m个平...
毛维裴晨杨翠彭国良杜鸣马佩军王冲张进成郝跃
交错阵列肖特基型功率器件
本发明公开了一种交错阵列肖特基型功率器件，主要解决现有肖特基二极管开启电压高的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(4)，势垒层(3)上面的钝化层(4)左侧设置有阴极槽(5)，阴极槽上方设置有阴极...
毛维杨卿慧杨翠杜鸣李康马佩军张进成郝跃
基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于调制岛结构的垂直型场效应晶体管及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件不具备良好双向导通特性，导致其所用电路成本上升，性能下降的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、N型GaN沟道层、顶层...
毛维谢渊源杨翠张雅超杜鸣张进成郝跃
一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极...
郑雪峰淡一涛王小虎杜鸣吕玲曹艳荣马晓华郝跃
文献传递
复合渐变层氮化镓功率晶体管
本发明公开了一种复合渐变层氮化镓功率晶体管及其制作方法，主要解决现有的功率开关器件双向导通特性差，导致其所用系统的成本高，功率效率低的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层、N<Sup>+</Sup>型层和源...
毛维谢渊源杨翠张涛杜鸣魏葳张进成郝跃
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