王中健
- 作品数：5 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究被引量：7
- 2009年
- 采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。
- 马仙梅荆海马凯王龙彦王中健
- 关键词：氧化锌薄膜X射线衍射光致发光
- 氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4Ω.cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。
- 马仙梅荆海王永刚王龙彦王中健马凯
- 关键词：GZO磁控溅射
- 非晶氧化物薄膜晶体管特性与模型的研究
- 由于下一代柔性显示技术发展的需求，迫切需要一种能和有源矩阵有机发光二极管(AM-OLED)以及有源矩阵电泳显示(AM-EPD)相匹配的新型薄膜晶体管(TFT)。透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多...
- 王中健
- 关键词：薄膜晶体
- 几种电流型AM OLED像素电路及其电流缩放比的分析被引量：1
- 2009年
- 分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电流不变。着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析。在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善。
- 王龙彦王中健马仙梅付国柱荆海
- 关键词：有源矩阵OLED阈值电压漂移
- 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8
- 2009年
- 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
- 王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海
- 关键词：薄膜晶体管
