马仙梅
- 作品数：9 被引量：29H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究被引量：7
- 2009年
- 采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。
- 马仙梅荆海马凯王龙彦王中健
- 关键词：氧化锌薄膜X射线衍射光致发光
- 新型有源薄膜晶体管的研制
- 杨小天王超赵春雷唐巍马仙梅荆海杜国同
- (1)课题来源与背景： 目前，日本东北大学已成功制备出p-ZnO材料，并在材料基础上成功制备出发光器件。日本Rohm公司为大幅度降低LED的制造成本(目标为目前的10分之1)，积极从组件材料着手，已经与东北大学共同合作...
- 关键词：
- 关键词：氧化锌晶体管
- 氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)被引量：2
- 2008年
- 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
- 马仙梅杨小天朱慧超王超高文涛金虎齐晓薇高博付国柱荆海马凯常遇春杜国同
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管MOCVD
- ZnO-TFT的制备及ZnO薄膜性能研究
- 用MOCVD法在绝缘薄膜SiNx上生长了ZnO薄膜,通过X光衍射与光致发光的方法表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽是0.176°,光致发光仪有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.成...
- 马仙梅荆海李香萍马凯杨澍杨小天杜国同王龙颜王中建
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌薄膜光致发光
- 文献传递
- 氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4Ω.cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。
- 马仙梅荆海王永刚王龙彦王中健马凯
- 关键词：GZO磁控溅射
- ZnO薄膜及ZnO基薄膜晶体管的研究
- ZnO是一种具有纤锌矿结构的直接宽禁带半导体材料。由于具有高光学透过率、生长温度低、击穿电压高、抗辐射能力强、电子饱和漂移速度高等优点，ZnO成为了目前倍受瞩目的光电材料，极大推动了透明电子学的发展。近年来，国外已经开展...
- 马仙梅
- 驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术被引量：8
- 2007年
- 基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法。对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向。
- 杨澍荆海廖燕平马仙梅孔祥建黄霞付国柱马凯
- 关键词：电子纸电子墨水薄膜晶体管有机薄膜晶体管
- 几种电流型AM OLED像素电路及其电流缩放比的分析被引量：1
- 2009年
- 分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电流不变。着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析。在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善。
- 王龙彦王中健马仙梅付国柱荆海
- 关键词：有源矩阵OLED阈值电压漂移
- 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8
- 2009年
- 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
- 王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海
- 关键词：薄膜晶体管
