王善力
- 作品数：48 被引量：55H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究被引量：4
- 1999年
- 对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
- 巫艳杨建荣方维政王善力于梅芳乔怡敏陈新强何力
- 关键词：异质结互扩散汞镉碲
- 热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究被引量：1
- 1995年
- 本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到异质结的内建电势差．最后算出能带偏移．
- 杨玉琨李文明于磊杨易徐立兴熊欣王善力黄和鸾
- 关键词：碲化铅异质结热壁外延
- 基于双结模型非理想太阳能电池伏安特性参数数值分析
- 2013年
- 提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段,提取每段的4个关键参数:串联电阻(R s)、并联电阻(R sh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法,并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析,得到了比单结电流模型更多的参数,并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云骅曹鸿黄志明王善力褚君浩
- 关键词：CDTE薄膜伏安特性ROLLOVER
- 一种分子束外延汞束源炉金属坩埚
- 本实用新型公开了一种分子束外延汞束源炉金属坩埚，所述坩埚在分子束外延束源炉中用于加热汞使用，该坩埚内壁设置有保护层，该保护层是利用CVD在坩埚内壁形成的裂解石墨、裂解氮化硼、石墨烯、碳纳米管或碳化硅纳米材料形成的高热导层...
- 杨春章孔金丞王善力李艳辉陈卫业杨晋赵丽姬荣斌
- 非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究被引量：9
- 2007年
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口"。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包。椭圆偏振光谱研究结果表明,a-HgCdTe薄膜与晶态HgCdTe薄膜的折射率和消光系数均表现出明显的差异,椭圆偏振光谱技术可以作为一种非晶态半导体的结构判定手段。在90℃～215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程,其晶化温度在130℃～140℃之间。
- 孔金丞孔令德赵俊张鹏举李志李雄军王善力姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射晶化
- 分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究被引量：2
- 1998年
- 报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．
- 王善力于梅芳乔怡敏杨建荣巫艳袁诗鑫何力
- 关键词：分子束外延实时监测汞镉碲
- HgCdTe分子束外延In掺杂研究被引量：4
- 2001年
- 报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .
- 巫艳王善力陈路于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：分子束外延HGCDTE掺杂铟
- HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究
- 尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提...
- 巫艳杨建荣陈新强方维政王善力于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：高温退火互扩散
- Hg<,1-x>Cd<,x>Te/CdTe界面互扩散研究
- 巫艳于梅芳陈路王善力方维政何力
- RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1
- 2008年
- 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。
- 曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力
- 关键词：分子束外延HGCDTE
