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一种应用于CeRAM的TMO材料: 本发明设计了一种应用于CeRAM的TMO材料，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。本发明用于描述TMO材料在不同电压下表现的电阻行为特性，可以用于电路设计与仿真的工具软件。本发明可以良好的模拟TMO材料的电学行为，并可...; 贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅; 文献传递

一种基于CeRAM单元的数模变换器: 本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在...; 贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅; 文献传递

带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法: 一种带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法，在RRAM于0值和1值之间具有足够的窗口的前提下，通过控制SET或者RESET过程中流过阻变元件电流值处于两者之间从而定义一第三状态，再经过对应的读出和编码方式，将存...; 贾泽徐建龙王林凯任天令; 文献传递

基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法: 一种基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法，通过设计此自参考读出反相器的一系列性能指标使得其能够正确实现数据分辨，从而完成读操作，大大优化了器件的可靠性、面积及功耗等性能。; 贾泽徐建龙王林凯任天令

集成工艺中湿法刻蚀对锆钛酸铅性能的影响(英文): 2011年; 通过将溶胶凝胶法制备的锆钛酸铅(PZT)在非晶态和多晶态进行刻蚀,对比未经刻蚀的PZT性能,研究了集成工艺中湿法刻蚀造成极化和耐久性能退化的机理.PZT的结晶图谱和表面形貌分析发现,湿法刻蚀中产生的非铁电成分由于具有较小的介电常数,降低了铁电材料上分担的有效测试电压,导致刻蚀后PZT极化能力的降低.未刻蚀的PZT翻转1011次后极化值损失约3%,而刻蚀后极化值减小量大于5%.随着尺寸的减小,耐久特性的降低更为明显,100μm×100μm的PZT极化值减小量约为500μm×500μm样品的3倍.高温过程中由于湿法刻蚀而产生的缺陷和空隙在PZT内部重新分布,外加电压下有更多的电子被缺陷和空隙束缚而产生内建电场并钉扎铁电畴,不同器件尺寸的PZT内部缺陷和空隙浓度的变化不同,导致耐久特性随PZT器件尺寸而不同.利用压电特性参数与极化强度的关系,可以解释湿法刻蚀对压电特性造成损伤的原因.; 张明明贾泽尹聪王林凯任天令; 关键词：锆钛酸铅湿法刻蚀尺寸刻蚀损伤

带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法: 一种带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法，在RRAM于0值和1值之间具有足够的窗口的前提下，通过控制SET或者RESET过程中流过阻变元件电流值处于两者之间从而定义一第三状态，再经过对应的读出和编码方式，将存...; 贾泽徐建龙王林凯任天令

一种应用于CeRAM的TMO材料行为模型: 本发明设计了一种应用于CeRAM的TMO材料行为模型，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。本发明用于描述TMO材料在不同电压下表现的电阻行为特性，可以用于电路设计与仿真的工具软件。本发明可以良好的模拟TMO材料的电学行...; 贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅; 文献传递

一种基于CeRAM单元的数模变换器: 本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在...; 贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅; 文献传递

基于自参考反相器的1T1R型阻变存储器及其读写方法: 一种基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法，通过设计此自参考读出反相器的一系列性能指标使得其能够正确实现数据分辨，从而完成读操作，大大优化了器件的可靠性、面积及功耗等性能。; 贾泽徐建龙王林凯任天令; 文献传递

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王林凯