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徐建龙

作品数：18 被引量：4H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电极
  • 4篇读写
  • 4篇背栅
  • 4篇存储器
  • 3篇电路
  • 3篇栅介质
  • 3篇金属
  • 3篇沟道
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 3篇传感器件
  • 2篇电池
  • 2篇电池技术
  • 2篇电流
  • 2篇电栅
  • 2篇电子噪声
  • 2篇淀积
  • 2篇读操作
  • 2篇读写方法

机构

  • 18篇清华大学

作者

  • 18篇徐建龙
  • 11篇谢丹
  • 9篇朱宏伟
  • 7篇任天令
  • 7篇李娴
  • 5篇张丞
  • 5篇张小稳
  • 4篇王林凯
  • 4篇贾泽
  • 4篇朱淼
  • 3篇李昕明
  • 3篇李志鑫
  • 3篇杨埔
  • 2篇王靖
  • 2篇向兰
  • 2篇苗宇
  • 2篇蒋亚东
  • 1篇尹聪
  • 1篇李晓
  • 1篇张德凯

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法
本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在...
谢丹戴睿轩徐建龙李娴孙翊淋张小稳张丞杨埔滕长久李志鑫朱宏伟
高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管器件，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件包括依次层叠的衬底、高介电常数栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、图形化的硫化钼(MoS<Sub>2</Sub>)导电沟道，及在复...
谢丹张丞徐建龙孙翊淋张小稳赵远帆李晓李昕明朱宏伟
文献传递
基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法
本发明涉及基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池结构包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，下电极，第一减反膜，空穴导电层，上电极，第二减反膜，且该混合太阳能...
谢丹赵远帆徐建龙苗宇朱淼李昕明朱宏伟
文献传递
基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法
一种基于自参考反相器的ITIR型阻变存储器及其读写方法，通过设计此自参考读出反相器的一系列性能指标使得其能够正确实现数据分辨，从而完成读操作，大大优化了器件的可靠性、面积及功耗等性能。
贾泽徐建龙王林凯任天令
有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制造方法
本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋...
谢丹孙翊淋徐建龙张丞张小稳李娴赵远帆朱宏伟
文献传递
三角形单晶硅支撑梁结构超薄X射线氮化硅窗口的制备
2016年
研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能参数:硅支撑梁部分所占面积为19.3%,氮化硅膜厚度约为50 nm,并且能够耐受一个大气压强差。本论文提出的结构与以往的MEMS工艺制备的X射线窗口相比较,更加简单、可靠,并且制备成本更低,可适用于X射线荧光分析仪和SEM的能量色散谱分析仪等设备的X射线引出窗口。
马硕谢丹徐建龙孙翊淋任天令
关键词：氮化硅膜MEMS工艺
基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法
本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法，该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，叉指电极层，第一PDDA薄膜层，还原氧化石墨烯薄膜层，第二PDDA薄膜层，分级结构ZnO‑...
谢丹李娴徐建龙戴睿轩赵远帆王靖向兰朱淼朱宏伟蒋亚东
文献传递
1kbit铁电存储器电路设计技术研究被引量：3
2012年
铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存储器领域最具潜力的产品之一。首先设计了一种1 kbit铁电存储芯片的整体架构,其次对其不同的工作时序进行了分析,再次对铁电存储器外围译码电路、驱动电路以及灵敏放大电路等电路模块进行了设计,每个设计过程包括电路设计、电路仿真和版图设计。由仿真结果可以看出,电路的选取均适用于铁电存储器的要求,为以后大容量、产品化的铁电存储器设计起到了基础性的指导作用。
张德凯徐建龙任天令
关键词：铁电存储器译码器驱动电路
铁酸铋异质结阻变特性与机制研究
多铁性铁酸铋(BiFeO3,简称BFO)材料是目前唯一在室温同时具有铁电和铁磁性的多铁性材料,具有优异的铁电和磁电耦合特性,在新型非挥发性存储器件、多功能传感器件、自旋电子器件、光伏器件等领域具有广阔的应用前景。铁酸铋基...
徐建龙
关键词：铁酸铋异质结
文献传递
带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法
一种带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法，在RRAM于0值和1值之间具有足够的窗口的前提下，通过控制SET或者RESET过程中流过阻变元件电流值处于两者之间从而定义一第三状态，再经过对应的读出和编码方式，将存...
贾泽徐建龙王林凯任天令
文献传递
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