秦芳
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学环境科学与工程更多>>
- 离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究被引量：1
- 2007年
- 采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。
- 陈寒娴杨瑞东邓荣斌秦芳王茺杨宇
- 关键词：离子束溅射
- Si(001)面弛豫表面构型与电子结构的第一性原理被引量：4
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si(001)表面进行理论研究,通过几何优化得到Si(001)表面的稳定结构。在结构优化的基础上,针对该表面研究表面能和原子弛豫与模型中原子层数和真空层厚度的关系。研究结果表明:模型中原子层数和真空层厚度对表面的表面能和原子构型有较大影响。当原子层数为8层,真空层厚度为1 nm时,表面能与原子弛豫程度趋于稳定;与理想晶格相比,表面弛豫导致表面层的电子结构和键合特性发生很大变化。弛豫后,体系能量降为最低,结构趋于更加稳定。
- 秦芳王茺邓荣斌杨宇
- 关键词：SI(001)表面弛豫态密度第一性原理
- Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
- 2008年
- 对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响。分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变。获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
- 邓荣斌王茺陈寒娴杨瑞东秦芳肖军杨宇
- 关键词：退火微晶硅薄膜钽
- 欧盟碳排放权初始分配的实践及其启示
- 我国于2017年年底宣布,全国碳排放权交易市场正式启动,标志着碳交易试点即将结束、碳排放权交易将逐步步入正轨。鉴于此,对碳排放权进行研究的步伐必须加快。并且,要想构建碳排放权交易体系,核心问题,同时也是关注的焦点问题,就...
- 秦芳
- 关键词：欧盟碳排放权
- Si（001）-P（2×2）表面结构与Ge、Si初期吸附的第一性原理研究
- 硅基纳米薄膜材料具有特殊的物理和化学性质，在光学、微电子和光电技术等许多领域都具有重要的理论和应用前景，一直是实验和理论研究的热点对象。而薄膜的生长过程－尤其是初期生长过程，对薄膜材料的结构和性质有着重要的决定作用，因此...
- 秦芳
- 关键词：硅基薄膜
- 文献传递
