邓荣斌
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
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- Ge／Si纳米多层膜的光致发红光研究
- 2007年
- 采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。
- 杨瑞东陈寒娴邓荣斌孔令德陶东平王茺杨宇
- 关键词：PL谱
- 离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究被引量：1
- 2007年
- 采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。
- 陈寒娴杨瑞东邓荣斌秦芳王茺杨宇
- 关键词：离子束溅射
- Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
- 2008年
- 对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响。分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变。获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
- 邓荣斌王茺陈寒娴杨瑞东秦芳肖军杨宇
- 关键词：退火微晶硅薄膜钽
- 溅射Ar^+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2007年
- 采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜。用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系。在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜。通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化。
- 宋超杨瑞东冯林永陈寒娴邓荣斌王国宁杨宇
- 关键词：离子束溅射
- Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究被引量：2
- 2008年
- 采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。
- 杨瑞东陈寒娴邓荣斌孔令德陶东平王茺杨宇
- 关键词：埋层纳米晶粒
- Ta、Ge缓冲层上硅薄膜的制备及微结构分析
- 传统的硅薄膜材料因其优良的性能，已经获得了广泛的应用。究其原因，一则硅工艺是目前为止最为成熟的半导体工艺，是信息化的基础，硅薄膜在太阳能电池、薄膜晶体管、薄膜传感器以及显示器件等与人类的生产和生活息息相关的各个方面的成功...
- 邓荣斌
- 关键词：硅薄膜柱状晶光致发光
- 文献传递
- Si(001)面弛豫表面构型与电子结构的第一性原理被引量：4
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si(001)表面进行理论研究,通过几何优化得到Si(001)表面的稳定结构。在结构优化的基础上,针对该表面研究表面能和原子弛豫与模型中原子层数和真空层厚度的关系。研究结果表明:模型中原子层数和真空层厚度对表面的表面能和原子构型有较大影响。当原子层数为8层,真空层厚度为1 nm时,表面能与原子弛豫程度趋于稳定;与理想晶格相比,表面弛豫导致表面层的电子结构和键合特性发生很大变化。弛豫后,体系能量降为最低,结构趋于更加稳定。
- 秦芳王茺邓荣斌杨宇
- 关键词：SI(001)表面弛豫态密度第一性原理
- 金属Ta缓冲层上生长微晶Si薄膜的结晶性研究被引量：1
- 2008年
- 利用射频磁控溅射技术,在生长了Ta缓冲层的石英玻璃衬底上采用不同溅射功率下制备了一系列的硅薄膜样品,用拉曼光谱和X射线衍射表征了薄膜的结晶性随溅射功率的变化情况。实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶粒沿Si(311)面呈柱状生长,功率升高到80W时薄膜的晶化率达到75.4%,薄膜为典型的微晶结构。继续增加功率,薄膜的结晶性变差,晶化率下降,在60～120W之间存在一个优化理想的射频溅射功率,在此功率下生长的薄膜样品的结晶性最高。本文还尝试解释了Ta缓冲层在Si晶化过程中的作用。
- 邓荣斌王茺陈寒娴杨宇
- 关键词：溅射功率晶化率
- 溅射Si／Ge多层膜及其发光誊性研究被引量：2
- 2008年
- 采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷；1．53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。
- 陈寒娴杨瑞东王茺邓荣斌孔令德杨宇
- 关键词：离子束溅射
