程尧海
- 作品数：77 被引量：138H指数：7
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置
- 本实用新型属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关...
- 冯士维谢雪松吕长志程尧海
- 文献传递
- ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
- 2005年
- 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。
- 付厚奎吴月花刘志民郭春生李志国程尧海吉元崔伟
- 关键词：VLSI铝互连线热应力有限元
- Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
- 1995年
- 本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。
- 李志国李静孙英华吉元程尧海严永鑫李学信
- 关键词：欧姆接触半导体器件
- Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟被引量：2
- 1998年
- 用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。
- 张万荣罗晋生李志国孙英华穆甫臣程尧海陈建新沈光地
- 关键词：异质结截止频率最高振荡频率HBT
- VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究被引量：1
- 1998年
- 电徙动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式．本文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度．文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系．实验结果表明，在２０～３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间。
- 李志国郭伟玲朱红吉元程尧海孙英华张万荣
- 关键词：VLSI布线金属化
- 国产晶体管的长期贮存可靠性
- 测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50[％],年均退化率-1.35[％...
- 吕长志张小玲谢雪松程尧海王东凤李志国
- 关键词：晶体管可靠性
- 文献传递
- TiAl和TiPtAu栅GaAs MESFET可靠性实验研究
- 温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。
- 张万荣李志国孙英华程尧海陈建新沈光地
- 关键词：GAAS电子器件
- n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究被引量：3
- 1995年
- 为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。
- 李志国赵瑞东李学信郭伟玲程尧海张斌
- 关键词：化合物半导体半导体器件
- 应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析被引量：6
- 1998年
- 本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而且温度T越低，随Ge组份x的增加而减少的速度越快与Si相比，常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有什么影响，而在低温下，随Ge组份x的增加，电离杂质浓度随之增加，载流子冻析减弱，这对低温工作的Si(1-x)Gex器件有利．
- 张万荣李志国罗晋生孙英华程尧海陈建新沈光地
- 关键词：异质结器件
- 提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路被引量：2
- 1994年
- 分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。
- 王继春卞岩谢嘉慧李学信程尧海
- 关键词：功率晶体管击穿
