李志国
- 作品数：158 被引量：258H指数：10
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性被引量：2
- 2008年
- 通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65 V,从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6 mV/℃.
- 张小玲谢雪松吕长志李志国
- 关键词：肖特基接触A1GAN/GANHEMT温度特性
- 大功率晶体管的步进应力加速寿命试验
- 加速寿命试验广泛地用于在短时间内预测元器件的寿命。本文介绍用步进应力加速寿命试验估计大功率晶体管的激活能和寿命。本试验采用温度斜坡模型,试验结果在和经验数据做比较后认为是合理的。
- 刘婧吕长志李志国郭春生冯士维孙静莹
- 关键词：可靠性加速寿命试验大功率晶体管激活能
- 文献传递
- 微电子器件多失效机理可靠性寿命外推模型被引量：10
- 2004年
- 提出了一种新的微电子器件快速评价方法,具有快速、准确、成本低、能观察分析参数退化的全 :过 程 ,能 有效 地 分析 器件 的 失效 机理 。 它与 常 规 方 法 不同 , 可 对 单样 品 求 出 不同 失 效 阶 段的 失 效 激 活能 和 寿命 , 根据 其参 数 退化 的 温度 范围 可 外推 出单 样 品 工 作条 件 下 的 寿命 。 通 过 一定 数 量 的 对比 试 验 , 该方 法 与 常规 方 法有 可比 性 。
- 李志国李杰郭春生程尧海
- 关键词：微电子器件
- AlGaN/GaN HEMT器件的研制被引量：21
- 2003年
- 介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为 0 95A/mm .
- 张小玲吕长治谢雪松李志国曹春海李拂晓陈堂胜陈效建
- 关键词：A1GAN/GANHEMT
- 电源模块中关键器件的加速寿命试验
- 使用印刷电路板仿制电源模块的电路，保证电路中的关键器件在实际的工作条件下被单独施加序进的温度应力，进行以电学参数退化为基础的加速寿命试验。克服了不能对电源模块中的关键器件施加较高温度应力进行加速寿命试验的困难。试验获得电...
- 吕长志马卫东黄春益张小玲谢雪松王东凤李志国
- 关键词：电源模块加速寿命试验可靠性
- 文献传递
- GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
- 1996年
- 本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊，有明显的互扩散和反应发生．
- 李志国赵瑞东孙英华吉元程尧海郭伟玲王重李学信
- 关键词：MESFET砷化镓肖特基势垒场效应晶体管
- GaAs MESFET的红外温度分布精确测量
- 该文利用美国RM-50红外微热像仪的最佳技术性能。采用校准和外推的方法。成功地 精确测量了栅长1微米GaAs MESFET的沟道温度分布。
- 程尧海李志国孙英华张万荣吕长志
- 关键词：表面温度
- 文献传递
- Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究
- 1998年
- 本文对电迁徙参数电流密度因子ｎ及ｎ值的精确测量技术进行了深入研究。首次提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法（ＤＣＲ）．该方法与传统的ＭＩＦ法不同，利用专门设计的实验系统和实验样品，精确控制实验金属条温，消除了高电流密度条件下焦耳热的影响，提高了ｎ值的测量精度与速度。同时对四种不同材料实验样品的ｎ值进行了测量和分析。结果表明，ｎ值与材料、频率、占空比有关，与一定范围内的温度和电流密度无关。
- 李志国孙英华邓燕程尧海郭伟玲张万荣张炜
- 关键词：可靠性测量技术
- SiO_2介质覆盖层对Al-Cu膜晶粒生长的影响
- 1998年
- 观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下，ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸，使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ；从而有效地提高了Ａｌ－Ｃｕ膜的电徙动寿命。
- 吉元李英钟涛兴李志国李志国孙英华程尧海朱红
- 关键词：介质覆盖二氧化硅晶粒微电子器件
- Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究
- 采用 X 射线衍射仪（XRD）和俄歇电子能谱仪（AES）研究了铜薄膜的晶体学取向和 Ta 扩散阻挡层的阻挡效果。结果表明,Ta 阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的（111） 织构;同时,50nm 厚的 Ta 阻挡层能够有效...
- 王晓冬吉元李志国夏洋刘丹敏肖卫强
- 关键词：扩散阻挡层TA
- 文献传递
