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袁伟

作品数：39 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 27篇光刻
  • 9篇光刻机
  • 7篇光刻版
  • 7篇光刻工艺
  • 6篇掩模
  • 5篇掩膜
  • 5篇套刻
  • 5篇晶体管
  • 5篇硅片
  • 4篇掩模板
  • 4篇图案
  • 4篇芯片
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光电效应
  • 4篇版图
  • 3篇形貌
  • 3篇腔体
  • 3篇介质层
  • 3篇刻蚀工艺
  • 3篇光栅

机构

  • 39篇上海集成电路...
  • 3篇上海集成电路...

作者

  • 39篇袁伟
  • 13篇李铭
  • 5篇卢意飞
  • 4篇胡红梅
  • 4篇赵宇航
  • 4篇郭奥
  • 4篇李琛
  • 2篇陈寿面

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米压印光刻装置及其方法
一种纳米压印光刻装置，用于对表面涂有电感性光刻胶的衬底进行光刻，包括：模板基板、压印模板和电子源；压印模板具有导电性，位于模板基板的表面上，与衬底上的光刻胶面相向设置，压印模板具有与形成目标图案的反向凹凸图案，与被刻衬底...
袁伟
一种鳍式场效晶体管电学特性的测量结构
本发明公开了一种鳍式场效晶体管电学特性的测量结构，通过在鳍式场效晶体管的等效结构上设置五个接线端口，其中第一、第四接线端口分别由鳍式场效晶体管中间层开尔文结构的下表面引出，第二、第三接线端口分别由开尔文结构的上表面引出，...
袁伟李铭胡红梅卢意飞
一种优化光刻工艺参数的方法
本发明公开了一种优化光刻工艺参数的方法，包括如下步骤：S01：利用机器学习模型仿真芯片设计版图的最佳焦距，同时测量实际晶圆制造过程中的在线工艺数据；S02：将上述仿真出来的最佳焦距和测量出来的在线工艺数据相结合，对整片晶...
郭奥袁伟王鹏飞李琛
文献传递
双大马士革工艺制造方法及集成电路制造方法
本发明提供了一种双大马士革工艺制造方法及集成电路制造方法。根据本发明的一种双大马士革工艺制造方法包括：通孔形成步骤，用于利用光刻版来形成通孔；通孔填充步骤，用于利用负性光刻胶填充所述通孔形成步骤所形成的通孔；通孔区曝光和...
袁伟
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双重图形化方法
本发明涉及一种双重图形化方法，包括：自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层；利用第一层光刻图形版光刻第一光刻胶层，并以光刻后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀图形层；去除第一光刻胶层，在图形层的表面和图形层刻蚀形成的图形...
袁伟
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隔离阀
本实用新型提供了一种隔离阀，应用于干法刻蚀设备中，所述隔离阀包括本体、分子泵连接件、气柜连接件、压缩空气连接件和弹簧，所述弹簧设置于所述本体内，所述分子泵连接件与所述本体的一端部连接，所述气柜连接件与所述本体的侧壁连接，...
王俊豪袁伟李荣明胡邦明
一种光刻版结构及其制造方法
本发明提供了一种光刻版结构，包括：一个基板，位于基板表面的光刻版图形，在光刻版图形表面覆盖有一层或多层透明保护层，位于透明保护层上方的蒙膜，蒙膜将光刻版图形区域罩住；本发明还提供上述光刻版结构的制造方法，包括：在基板表面...
袁伟
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光刻机
本发明涉及一种光刻机，所述光刻机从上往下依次包括光源、掩膜板、折射镜单元和物镜，所述折射镜单元用于减小光源通过掩膜板发生衍射后的衍射光的衍射角度，其中所述折射镜单元由至少一个棱镜构成，所述折射镜单元中的棱镜折射率均大于1...
袁伟
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光刻胶容器
本实用新型的光刻胶容器包括盛装腔体，所述盛装腔体的底端面呈V型，且其中央设有下沉式凹槽。本实用新型的光刻胶容器可减少容器更换时剩余在容器内的光刻胶的量，节约生产成本。
袁伟
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硅片存储装置
本实用新型涉及一种硅片存储装置，包括：圆柱形盒体、盒盖，其特征在于，盒体中设有至少一组塑料棉层盒以及与塑料棉层盒一一配合的塑料棉层盖，塑料棉层盒嵌套于盒体中，塑料棉层盖用于将硅片保护于相应的塑料棉层盒中。其可以方便地取/...
卢意飞袁伟顾郦蓉
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