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郭奥

作品数：79 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 78篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 15篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 28篇晶体管
  • 19篇纳米
  • 17篇碳纳米管
  • 17篇纳米管
  • 13篇漏极
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 12篇电路
  • 11篇源极
  • 11篇图像
  • 11篇存储器
  • 9篇电容
  • 9篇阵列
  • 9篇阵列结构
  • 8篇单壁
  • 8篇子电路
  • 7篇电极
  • 7篇电阻
  • 7篇刻蚀

机构

  • 79篇上海集成电路...
  • 25篇成都微光集电...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇上海华虹(集...

作者

  • 79篇郭奥
  • 18篇胡少坚
  • 13篇周伟
  • 11篇任铮
  • 11篇李琛
  • 6篇陈寿面
  • 6篇刘林林
  • 6篇段杰斌
  • 4篇袁伟
  • 4篇王全
  • 2篇赵宇航
  • 2篇李铭
  • 2篇康晓旭
  • 1篇忻佩胜
  • 1篇卢意飞
  • 1篇石艳玲
  • 1篇王莎

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 10篇2023
  • 5篇2022
  • 10篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 7篇2015
  • 8篇2014
  • 6篇2013
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高小波去噪效果的图像预处理方法
本发明公开了一种提高小波去噪效果的图像预处理方法，包括以下步骤：步骤S01：计算含噪图像中目标区域的像素特征值；步骤S02：将所述目标区域的像素特征值与预设阈值相比较，判断目标区域类型；步骤S03：根据所述目标区域类型，...
周涛王修翠李琛王鹏飞余学儒段杰斌方宇傅豪郭奥
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一种柔性有源应变或压力传感器结构及制备方法
本发明公开了一种柔性有源应变或压力传感器结构及制备方法，利用碳纳米管晶体管作为柔性有源场效应晶体管，采用柔性压电薄膜材料制备压电式的应变或压力传感器单元，并将压电传感器与有源场效应晶体管的栅极进行工艺集成，从而将压电传感...
郭奥胡少坚周伟
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以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法
本发明提供一种以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法，包括：提供一个半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，在介质层上平行排列一维碳纳米管阵列结构；利用碳纳米管平行阵列结构做掩膜层，在介质层中形成沟槽阵列结构；在沟槽阵列结构中...
郭奥任铮胡少坚周伟
一种三维CMOS集成电路的制备方法
本发明公开了一种三维CMOS集成电路的制备方法，通过将底部悬空的MOS器件转移至目标器件上方，可实现不同MOS器件之间的三维堆叠，进一步通过制备互连通孔可实现三维CMOS集成电路，所采用的制备工艺可与目前平面CMOS电路...
郭奥胡少坚周伟
MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构和测试方法，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度，进而准确测量...
郭奥
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一种阻变存储器单元结构及制备方法
本发明公开了一种阻变存储器单元结构，由相并联的一第一晶体管和一第二晶体管，以及与所述第一晶体管和所述第二晶体管共同连接的一阻变单元组成；其中，所述第一晶体管设有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极用于施加第一控制信...
郭奥
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一种基于神经网络模型确定芯片全掩模聚焦参数的方法
本发明公开了一种基于神经网络模型确定芯片全掩模聚焦参数的方法，具体包括基于神经网络模型确定芯片全掩模最佳聚焦分布图和最佳聚焦窗口深度分布图的方法，首先训练神经网络模型，再利用上述训练后的神经网络模型确定芯片最佳聚焦分布图...
时雪龙赵宇航陈寿面李铭袁伟李琛郭奥
一种静态随机存储单元
本发明公开了一种静态随机存储单元，包括交叉互锁的第一反相器与第二反相器，以及第一、第二传输门晶体管。第一传输门晶体管源/漏极耦接第二反相器的输入端，漏/源极耦接第一位线，栅极耦接字线；第二传输门晶体管源/漏极耦接第一反相...
胡少坚王全郭奥
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一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法
本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中...
刘林林冯悦怡王全郭奥周伟
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柔性碳纳米管晶体管的制备方法
本发明提供了柔性碳纳米管晶体管的制备方法，包括：在基底上制备柔性背栅衬底；将单壁碳纳米管的平行阵列转移至柔性背栅衬底表面；利用电击穿法去除金属性的单壁碳纳米管；利用光刻和刻蚀工艺去除部分电击穿电极，形成源/漏电极结构；在...
郭奥任铮胡少坚周伟
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