您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 8篇卷积
  • 8篇卷积器
  • 7篇声表面波
  • 4篇单片式
  • 3篇声表面波卷积...
  • 2篇声表面波器件
  • 2篇二极管
  • 2篇PN结
  • 2篇PN结二极管
  • 2篇SAW
  • 1篇电路
  • 1篇读写
  • 1篇读写实验
  • 1篇声表面波技术
  • 1篇相关器
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇辅助设计
  • 1篇高可靠
  • 1篇SIO

机构

  • 8篇四川压电与声...
  • 1篇东南大学

作者

  • 8篇谢兵
  • 5篇朱昌安
  • 5篇周子新
  • 4篇陈运祥
  • 3篇古雪芹
  • 2篇王锋友
  • 1篇杨宏伟
  • 1篇曹光军
  • 1篇何世平

传媒

  • 8篇压电与声光

年份

  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 4篇1992
  • 1篇1989
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
带补偿电路的声表面波卷积器初探
1997年
介绍了采用束宽压缩多条耦合器、带补偿电路的声表面波卷积器的基本原理、设计与制作,给出了测量方法及测试结果。实验表明,声表面波卷积器向组件化方向发展已成为可能。
朱昌安谢兵
关键词:声表面波卷积器SAW
单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器
1992年
本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。
周子新陈运祥谢兵朱昌安王锋友
关键词:声表面波卷积器
高可靠大时带积声表面波卷积器
1997年
一种采用小孔径换能器、多抽头波导的简洁有效的设计的卷积器获得了较好的性能。该器件具有20%以上的相对带宽和25.6μs的互作用时间,设计充分考虑了技术指标和可靠性要求,使器件能满足严格的工作条件。
谢兵古雪芹
关键词:声表面波卷积器
单片式ZnO/Si pn结二极管存储相关器/卷积器
1989年
本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。
周子新杨龙其杨宏伟谢兵何世平曹光军
关键词:声表面波器件PN结二极管存储器
3.6微秒存储相关器读写实验及结果被引量:1
1992年
通过在单片式MZOS结构卷积器中制作pn结二极管阵列,制成了这种结构的存储相关器/卷积器。我们利用这种器件作了对信号的存储、相关和卷积等一系列实验,描述了器件性能及工作方式和原理,为存储相关器作为信号处理器件的应用开发提供了有益的参考。
谢兵陈运祥古雪芹
关键词:卷积器声表面波技术
单片式西沙瓦波卷积器的研制
1992年
单片式西沙瓦波(Seza wa)卷积器是信号处理的重要器件。本文对西沙瓦波卷积器的基本原理、主要设计参数作了描述,给出了我所研制的西沙瓦波卷积器的测试结果,并对器件的性能改进作了讨论。
朱昌安陈运祥周子新谢兵王锋友古雪芹
关键词:声表面波卷积器单片式ZNO薄膜
单片式ZnO—SiO_2—Si结构西沙瓦波卷积器
1992年
本文简述了单片式ZnO—SiO_2—Si结构西沙瓦波卷积器的原理、结构、设计、制作和实验结果,以及该器件的优点和应用前景。最后讨论了Si衬底切割和传播方向的最佳选择及增大带宽的途径。
周子新陈运祥谢兵朱昌安
关键词:卷积器SAW
声表面波卷积器的计算机辅助设计
1994年
论述了大规模制作低成本、高性能的声表面波卷积器/相关器中的计算机辅助设计。
谢兵周子新朱昌安
关键词:卷积器相关器声表面波器件CAD
共1页<1>
聚类工具0