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钟伯强

作品数：18 被引量：33H指数：3
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇电池
  • 5篇液晶
  • 5篇液晶显示
  • 5篇太阳电池
  • 4篇非晶硅
  • 3篇液晶显示器
  • 3篇显示器
  • 3篇激光
  • 3篇光伏
  • 3篇硅太阳电池
  • 3篇彩色玻璃
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇太阳能
  • 2篇涂敷
  • 2篇喷涂
  • 2篇喷涂法
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光伏电池
  • 2篇发电

机构

  • 18篇中国科学院
  • 1篇上海市激光技...

作者

  • 18篇钟伯强
  • 7篇潘惠英
  • 3篇肖兵
  • 3篇施亚玲
  • 2篇张秀荣
  • 2篇陆忠乾
  • 1篇谭寿洪
  • 1篇朱文娟
  • 1篇孙剑
  • 1篇胡宇飞
  • 1篇王又良
  • 1篇俞大畏
  • 1篇沈月华
  • 1篇严淑敏
  • 1篇沈玉明
  • 1篇苏小荣
  • 1篇徐红
  • 1篇李连华

传媒

  • 6篇无机材料学报
  • 2篇半导体光电
  • 2篇上海市老科学...
  • 1篇应用激光
  • 1篇上海电力
  • 1篇1998年全...
  • 1篇1998年全...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 3篇1989
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3
1996年
对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。
胡宇飞孙剑钟伯强黄慈祥潘惠英
关键词：薄膜晶体管非晶硅氮化硅
彩色铁电液晶显示器
1996年
彩色滤波膜、透明导电膜、表面稳定的铁电液晶取向膜等构成了彩色铁电液晶显示器的主要材料。文章论述了彩色铁电液晶显示器的制造和性能。制出的铁电液晶显示器，其对比度达８４：１，上升时间为１１０μｓ，下降时间为７６μｓ。
钟伯强黄慈祥潘惠英
关键词：铁电液晶彩色滤色膜液晶显示器
LED作为照明光源进入家庭还有多远
LED(Light Emitting Diode)，又称发光二极管。主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。其发光过程包括：正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。光子的能量决定了光的颜色，在可见光的频谱范围内，蓝光、...
钟伯强
关键词：照明光源发光二极管LED技术发光颜色
文献传递
PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：3
1996年
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．
谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强
关键词：氮化硅表面改性碳化硅陶瓷
液晶显示用彩色玻璃的研制
了用染色法研制的用于采色液晶显示器的采色玻璃的制造过程和特性，对今后的研究开发趋势作了讨论。
钟伯强潘惠英黄慈祥
关键词：液晶显示器彩色玻璃
锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙
1990年
用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。
钟伯强
关键词：非晶薄膜
用催化CVD法研制优质a-Si薄膜被引量：4
1997年
用新的催化ＣＶＤ法在约３５０℃的低温条件下研制出了ａ－Ｓｉ薄膜。本方法是利用催化剂，使ＳｉＨ４和Ｈ２混合气体在一定温度下反应而裂解，在衬底上沉积ａ－Ｓｉ薄膜。所制出的ａ－Ｓｉ薄膜具有良好的光电特性，光电灵敏度超过１０６，电子自旋密度约２．５×１０１６ｃｍ－３。
钟伯强黄慈祥潘惠英
关键词：生长速率
激光—化学腐蚀刻蚀非晶硅(a-Si)太阳电池背电极
用激光—化学腐蚀刻蚀非晶硅太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐层...
钟伯强施亚玲肖兵张秀荣
文献传递
非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
用激光－化学腐蚀刻蚀ａ－ｓｉ太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐...
钟伯强施亚玲肖兵张秀荣
文献传递
用于液晶显示的透明导电膜被引量：15
1995年
采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜，沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响．衬底温度为室温时，制出了４．５×１０－４Ω·ｃｍ的透明导电膜．在彩色滤色膜或保护膜上沉积透明导电膜时，只能在低于它们的耐热温度以下，并注意排除有机膜吸附的气体．
钟伯强俞大畏潘惠英
关键词：液晶显示彩色滤色膜溅射
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