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陆忠乾

作品数：10 被引量：47H指数：4
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家攀登计划更多>>
相关领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇碳化硅
  • 5篇陶瓷
  • 5篇纳米粉
  • 4篇碳化硅陶瓷
  • 4篇粉体
  • 3篇气相沉积
  • 3篇纳米粉体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇纳米材料
  • 2篇晶化
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇光谱
  • 2篇红外
  • 1篇氮化硅陶瓷

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 10篇陆忠乾
  • 8篇谭寿洪
  • 8篇江东亮
  • 5篇黄政仁
  • 2篇李武根
  • 2篇董绍明
  • 2篇林庆玲
  • 2篇钟伯强
  • 2篇陆成法
  • 2篇严东生
  • 2篇张景贤
  • 2篇张兆泉
  • 1篇刘渝珍
  • 1篇韩一琴
  • 1篇张庶元
  • 1篇朱文娟
  • 1篇黄允兰
  • 1篇陈忠明
  • 1篇梁博
  • 1篇姚德成

传媒

  • 5篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇94’全国结...

年份

  • 2篇2004
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1991
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：3
1996年
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．
谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强
关键词：氮化硅表面改性碳化硅陶瓷
β-SiC纳米粉体制备研究
用二甲基二氯硅烷(（CH）SiCl)作为反应源,采用高温热解方法制备SiC纳米粉体。在1400℃、还原气氛H作载气条件下,制备出平均颗粒尺寸小于50nm、呈规则球形、颗粒尺寸分布范围窄的β-SiC粉体,随后,采用X射线衍...
黄政仁粱博江东亮谭寿洪陆忠乾
关键词：纳米粉体红外吸收光谱TEM高温热解颗粒尺寸分布
文献传递
纳米SiC蓝光发射的研究被引量：8
1999年
在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究。
刘渝珍黄允兰石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮
关键词：快速热退火纳米级碳化硅粉体
PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较被引量：1
1997年
用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－O键的吸收峰强度明显增强，而Si－N－Si键，Si-H键的吸收峰则愈来愈弱，直至仅有极小的吸收．而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强，与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处，但峰的形状，强度不随时间的变化而变化．
陆忠乾江东亮谭寿洪
关键词：红外光谱氮化硅陶瓷纳米粉末
CVD法合成的无定型纳米粉体的晶化被引量：4
1998年
以六甲基二硅氨烷（ＨＭＤＳ）为原料，采用ＣＶＤ方法，在不同温度下合成的粉体，经ＸＲＤ测定，确定为无定型．经不同温度晶化处理后，发现１０００℃时合成粉体随着晶化温度的提高，颗粒长大并变长，接近哑铃状．经１５００℃晶化处理后，颗粒呈晶须状，而经１６００℃处理后才完全晶化．１４００℃合成的粉体则随着晶化处理温度的提高，局部的颗粒长大，温度愈高，长大的颗粒愈多．经１５００℃晶化处理后，从ＸＲＤ，ＴＥＭ及ＨＲＥＭ可以看出粉体全部晶化，颗粒的结晶已非常完整，晶格网络清晰可见，颗粒度约为２０—４０ｎｍ，外表面有一层１—２ｎｍ的膜包裹．
陆忠乾江东亮谭寿洪严东生
关键词：化学气相沉积法晶化无定型纳米材料
六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究被引量：7
1997年
以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为8～10nm的圆球形．经高温晶化处理后，低温时合成的粉末呈晶须状，SiC和Si3N4相共存，以SiC相为主．较高温度下合成的粉体颗粒长大成20～40nm，以β-SiC相为主伴有α-SiC相，颗粒外表面有1～2nm的非晶层包裹，当在大气中存放三个月以后，则观测到原来品化的结构变成了无定形．
江东亮陆忠乾黄政仁严东生
关键词：晶化纳米粉体气相沉积硅
化学气相沉积法制备SiC纳米粉被引量：26
1996年
本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在１４００℃则粉体颗粒主要由β－ＳｉＣ微晶无序取向组成．随反应条件的改变，粉体平均粒径和β－ＳｉＣ微晶的平均尺寸分别在４０～７０ｎｍ和１．８～７．３ｎｍ范围内变化．同时，产物粉体的Ｃ／Ｓｉ摩尔比由低温１１００℃的０．５提高到１４００℃的１．０５．通过控制沉积条件如反应温度和反应物浓度，可以得到Ｃ／Ｓｉ摩尔比保持在０．９５～１．０５范围的、符合化学计量比的ＳｉＣ粉体．最后，用各种手段如化学分析，Ｘ射线衍射、透射电镜、高分辩电镜和红外吸收光谱等，对粉体性能和结构进行了表征．
梁博黄政仁江东亮谭寿洪陆忠乾
关键词：化学气相沉积纳米材料碳化硅陶瓷
含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷的液相烧结法
谭寿洪黄政仁张兆泉董绍明陆忠乾张景贤林庆玲李武根陆成法江东亮江东亮
本发明涉及一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷的液相烧结法。其特征在于所述的碳硼铝化合物相的组成Al8B4C7。具体工艺是，首先按酚醛树脂溶液：B4C粉：Al=1:0.1-0.6：0.4-1.5（质量）比例的烧结助剂...
关键词：
关键词：碳化硅液相烧结
碳化物陶瓷直接凝固胶态成型与连续干压程序研究
谭寿洪黄政仁张兆泉董绍明陆忠乾陈忠明张景贤林庆玲李武根陆成法江东亮
本项目针对市场急需的碳化物陶瓷部件的批量化生产中的关键成型问题而立项。研究组对连续粉体喷雾造粒的处理技术进行研究，突破了水基和非水基碳化物粉体的连续喷雾造粒技术；完成了连续干压机的选型、模具设计、连续压制的工艺等研究；己...
关键词：
关键词：胶态成型碳化硅陶瓷
非晶薄膜的硬度测量
1991年
用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温度时沉积的非晶硅薄膜,其硬度随温度降低而减小,这与非晶硅薄膜中所含的氢的多少有关。
钟伯强朱文娟陆忠乾
关键词：ITOSNO2非晶硅
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