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陆慧庆

作品数：20 被引量：23H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 12篇碲镉汞
  • 6篇光电
  • 5篇光电二极管
  • 5篇红外
  • 5篇二极管
  • 4篇砷注入
  • 4篇HGCDTE
  • 3篇电压特性
  • 3篇质子
  • 3篇质子辐照
  • 3篇辐照
  • 3篇N-
  • 3篇P-
  • 2篇电流电压特性
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇短波
  • 2篇探测器
  • 2篇碲化镉
  • 2篇汞镉碲

机构

  • 18篇中国科学院
  • 2篇山东大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 20篇陆慧庆
  • 15篇方家熊
  • 14篇李向阳
  • 10篇赵军
  • 6篇赵军
  • 5篇龚海梅
  • 5篇胡新文
  • 3篇周咏东
  • 3篇李言谨
  • 3篇胡晓宁
  • 2篇刘祖刚
  • 2篇张志林
  • 2篇汤定元
  • 2篇许少鸿
  • 2篇胡晓宁
  • 2篇沈杰
  • 2篇胡新文
  • 1篇张胜坤
  • 1篇姬荣斌
  • 1篇张燕

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 9篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1995
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析被引量：3
2000年
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺陷密度 (EPD)比较低的碲镉汞材料中 ,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型 ,呈现出浓度随深度的高斯分布 .而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中 ,砷的分布呈多段指数型分布 。
赵军陆慧庆李向阳方家熊
关键词：碲镉汞红外焦平面
利用Hg_(1-x)Cd_xTe本征区反射峰确定其截止波数和组分
1998年
利用ＦＴＩＲ光谱仪测量了一组Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ样品的透射和反射光谱，利用透射测量确定样品的组分．在反射光谱中明显地观察到一个反射极大点．考虑直接带隙样品的吸收系数以及Ｋ－Ｋ关系，理论分析得到反射极大点出现的范围为Ｅｇ＜ｈ－ωｍ＜２Ｅｇ．通过反射极大点的波数与截止波数的比较，得出两者之间存在正比关系的结论，其比例常数为１．０９２．
李向阳胡晓宁朱文娟陆慧庆赵军龚海梅方家熊
关键词：碲镉汞光谱
用射频CVD法在石英玻璃上生长微晶金刚石薄膜被引量：3
1995年
利用射频等离子体化学气相沉积法（ｒ，ｆ．ｐｃｖＤ），在石英玻璃上生长出透明均匀的薄膜，经过电子衍射，激光喇曼散射，可见光透过率等测试，证明是金刚石薄膜，通过透射电子显微镜看不到颗粒。
姬荣斌张志林刘祖刚赵伟明陆慧庆许少鸿
关键词：CVD金刚石
有机薄膜电致发光器件载流子注入和传输性质的研究被引量：3
1997年
制备了不同电极、不同厚度、以８－羟基喹啉铝螯合物（Ａｌｑ３）为发光层的有机薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件．分析了它们的电流密度－电压关系．不同阳极器件的电流变化很大，而改变阴极时电流密度的变化较小，说明电流以空穴为主．根据不同阴极器件的电致发光效率的比较，说明电子是决定器件电致发光效率的少数载流子．从不同厚度的器件的结果讨论了载流子的传输性质。
刘祖刚陆慧庆赵伟明姬荣斌张志林许少鸿
关键词：电致发光
表面处理对CdTe Raman散射谱的影响
1997年
利用傅利叶变换喇曼散射技术研究了CdTe表面的Raman散射谱，观察到了CdTe表面光学声子（TO、LO）的一级、二级斯托克斯、反斯托克斯Raman散射峰。实验同时还研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等不同表面处理后的CdTeRaman散射谱。实验表明Raman散射方法除可以用来表征晶体表面的完整性外，还能有效地探测样品的表面沾污情况。总的来说Raman散射技术有希望成为器件工艺过程中的一种表面无损检测手段。
周咏东方家熊沈杰赵军陆慧庆汤定元
关键词：碲化镉表面处理
质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
1999年
用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ，黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率为２８％，其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时主要由１／ｆ噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。对辐照前后材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波器件的电流电压特性表明器件在室温可承受１５Ｖ的反向偏压。
胡新文李向阳赵军陆慧庆龚海梅方家熊
关键词：质子辐照碲镉汞光电二极管红外探测器
短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响
1999年
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参数，估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ．
胡新文李向阳王勤陆慧庆赵军方家熊张胜坤
关键词：汞镉碲光电二极管红外器件
CdTe拉曼散射的温度淬灭被引量：1
1997年
利用傅里叶变换拉曼散射技术研究了ＣｄＴｅ表面的拉曼散射信号与激发光功率的关系，并对实验结果进行了分析和定性解释。
周咏东方家熊沈杰赵军陆慧庆汤定元
关键词：傅里叶变换拉曼散射激光退火碲化镉
砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析
1998年
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。
李向阳赵军陆慧庆胡晓宁方家熊
关键词：电流电压特性
紫外辐照对碲镉汞MIS结构复合特性的影响被引量：2
1998年
用光电导衰退法和ＭＩＳ器件的电容－电压特性测量研究了紫外辐照对碲镉汞样品的影响。研究表明：紫外辐照使ＭＩＳ器件的氧化膜／碲镉汞界面固定电荷减少，表面由强积累向平带变化；紫外辐照使碲镉汞样品的电阻明显增大，样品的表面复合速度上升，少子体寿命下降。说明紫外辐射不仅对碲镉汞样品的表面有影响，而且对碲镉汞体内也有影响。这些效应可以用碲镉汞表面能带结构的模型来解释。
赵军陆慧庆龚海梅方家熊李言谨
关键词：碲镉汞光电导器件紫外辐照MIS器件
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