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胡新文

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇碲镉汞
  • 3篇质子
  • 3篇质子辐照
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 3篇二极管
  • 3篇HGCDTE
  • 2篇N-
  • 1篇短波
  • 1篇性能分析
  • 1篇砷注入
  • 1篇室温
  • 1篇探测器
  • 1篇汞镉碲
  • 1篇光伏器件
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐射

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇陆慧庆
  • 5篇胡新文
  • 5篇李向阳
  • 4篇方家熊
  • 4篇赵军
  • 3篇龚海梅
  • 1篇李言谨
  • 1篇胡晓宁
  • 1篇赵军

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
1999年
用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ，黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率为２８％，其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时主要由１／ｆ噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。对辐照前后材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波器件的电流电压特性表明器件在室温可承受１５Ｖ的反向偏压。
胡新文李向阳赵军陆慧庆龚海梅方家熊
关键词：质子辐照碲镉汞光电二极管红外探测器
质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3×10<'10>cmHz<'0.5>W<'-1>，量子效率为28％，其R<,0>A在175...
陆慧庆赵军李向阳胡新文
关键词：碲镉汞质子辐照
文献传递
砷注入碲镉汞P-on-N结特性研究
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达到68Ω-cm<'2...
赵军李向阳胡晓宁陆慧庆胡新文龚海梅李言谨方家熊
关键词：碲镉汞
质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3&#215;10&lt;&#39;10&gt;cmHz&lt;&#39;0.5&gt;W&lt...
胡新文李向阳赵军陆慧庆龚海梅方家熊
关键词：质子辐照碲镉汞光电二极管性能分析
γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究被引量：7
1999年
利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０６）ｎ＋ｏｎｐ结中的深能级缺陷．辐照前其缺陷能级位置在价带上０１５ｅＶ，俘获截面σｐ＝２９×１０－１８ｃｍ２，缺陷密度Ｎｔ＝６５×１０１５ｃｍ－３，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷；经过１０４Ｇｙ的γ辐照后其能级变得更深，在价带上０１９ｅＶ，同时其俘获截面增加了近一个数量级，而缺陷密度基本上没有变化．γ辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能（探测率）下降了１／２以上．
胡新文赵军陆慧庆李向阳方家熊
关键词：汞镉碲光伏器件Γ辐射
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