陈世帛
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 混晶GaAs_(1-x)P_x禁带中央附近能级的研究
- 1990年
- 用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。
- 黄景昭周必忠陈世帛林东海
- 异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应
- 1994年
- 在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．
- 陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
- 关键词：隧穿效应太阳能电池
- 混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性
- 1991年
- 一、引言 近年来,Ⅲ—Ⅴ族化合物混晶半导体中施主杂质(如Al_xGa_(1-x)As中Ge、Si、Sn和GaAs_(1-x)P_x中S、Se、Te等)形成的深中心(DX中心)的某些奇特行为引起人们广泛关注。虽然这些材料的基质和杂质的类型不同,但深中心的特性相似,例如它们在禁带中引入一个浅能级和一个或几个深能级,深能级的浓度很大(可接近掺杂施主浓度);
- 周必忠林东海黄景昭陈世帛
- 关键词：电声耦合
- GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫
- 1990年
- 用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。
- 林东海周必忠黄景昭陈世帛
- 关键词：TE深中心电声耦合
- 异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
- 1994年
- 使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。
- 陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
- 关键词：少数载流子太阳能电池
- 稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制被引量：3
- 1994年
- 用离子注人法对ＩｎＰ晶体实现高浓度稀土（ＲＥ）Ｅｒ的掺杂，探索了优质材料的制作规律和条件。在低温（１０～２００Ｋ）测量了光致发光谱（ＰＬ），观测到Ｅｒ的尖锐发光峰，其峰值波长１．５３８μｍ，其发光强度较大；研究了该材料的热退火行为，Ｅｒ发光中心的形成和光激活过程；用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）测量给出了热退火前后注Ｅｒ－ＩｎＰ晶体中Ｅｒ离子浓度的数值及深度分布；并对Ｅｒ发光中心的组成和光激发机制作了分析讨论。
- 周必忠陈世帛雷红兵简方方陈辰嘉王学忠刘继周
- 关键词：INP发光中心发光材料
- 用双光源光电容法研究GaAs[*v1-x*]Fx中深能级缺陷
- 周必忠黄景昭陈世帛
- 关键词：晶体缺陷能级砷化合物镓化合物磷化合物
- Er离子注入GaP,GaAs,InP的二次离子质谱(SIMS)的研究
- 1994年
- 近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er3+的4I13/2—4I——（15/2）的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—V族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.
- 陈辰嘉王学忠周必忠陈世帛雷红兵李仪李菊生BottazziP
- 关键词：离子注入铒二次离子质谱砷化镓
