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周必忠

作品数：16 被引量：17H指数：3
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金霍英东教育基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 7篇发光
  • 5篇离子注入
  • 4篇ER
  • 4篇GAAS
  • 3篇质谱
  • 3篇砷化镓
  • 3篇晶体
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇INP
  • 2篇电池
  • 2篇电声耦合
  • 2篇深中心
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇体缺陷
  • 2篇能级
  • 2篇吸收光谱
  • 2篇离子

机构

  • 16篇厦门大学
  • 3篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 16篇周必忠
  • 8篇陈世帛
  • 6篇雷红兵
  • 5篇黄景昭
  • 3篇陈辰嘉
  • 3篇林东海
  • 3篇王学忠
  • 2篇王加宽
  • 2篇闵惠芳
  • 2篇王振英
  • 1篇郑兰荪
  • 1篇吴名枋
  • 1篇王飞武
  • 1篇陈张海
  • 1篇张鹏
  • 1篇李文莹
  • 1篇黄荣彬
  • 1篇唐文国
  • 1篇王启明
  • 1篇黄钟英

传媒

  • 5篇厦门大学学报...
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第四届全国发...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇发光快报

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 4篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 2篇1986
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究
1997年
在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．
陈辰嘉李海涛王学忠周必忠雷红兵肖方方
关键词：二次离子质谱砷化镓发光学
InP（Yb）晶体结构和发光特性的研究
1996年
用离子注入法配合优化退火新技术制成了一种高效发光材料ＩｎＰ（Ｙｂ）；用高灵敏度激光光谱仪测量了该材料的发光特性（ＰＬ），并研究了离子注入和退火过程中发光特性的变化，对ＰＬ谱峰作出辨认；用Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）测量分析晶格结构和注入损伤（缺陷）；研究了原材料的掺杂（Ｓｎ）对发光特性的影响；较深入地探讨了该材料的发光机制，并用一改进ＲＥ发光中心模型阐明该材料的激发发光过程。
周必忠黄云鹰顾山林
关键词：离子注入X射线衍射谱
稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究
1993年
用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.
黄钟英王飞武王小军周必忠王南钦
关键词：光致发光谱吸收光谱
异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
1994年
使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。
陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
关键词：少数载流子太阳能电池
稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制被引量：3
1994年
用离子注人法对ＩｎＰ晶体实现高浓度稀土（ＲＥ）Ｅｒ的掺杂，探索了优质材料的制作规律和条件。在低温（１０～２００Ｋ）测量了光致发光谱（ＰＬ），观测到Ｅｒ的尖锐发光峰，其峰值波长１．５３８μｍ，其发光强度较大；研究了该材料的热退火行为，Ｅｒ发光中心的形成和光激活过程；用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）测量给出了热退火前后注Ｅｒ－ＩｎＰ晶体中Ｅｒ离子浓度的数值及深度分布；并对Ｅｒ发光中心的组成和光激发机制作了分析讨论。
周必忠陈世帛雷红兵简方方陈辰嘉王学忠刘继周
关键词：INP发光中心发光材料
混晶GaAs_(1-x)P_x禁带中央附近能级的研究
1990年
用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。
黄景昭周必忠陈世帛林东海
异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应
1994年
在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．
陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
关键词：隧穿效应太阳能电池
用正电子湮没寿命谱研究GaP晶体中的缺陷
周必忠方江陵黄景昭
关键词：晶体缺陷发光器件晶体结构磷化镓正电子湮没
稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究
1997年
用光致发光谱（PL）、傅里叶变换红外吸收话（FTIR）和X射线衍射谱（XRD）等研究了稀土（Er）和氧（O）双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。PL测量结果发现：（Er和O）双注入样品对比Er单注入样品的发光（PL）强度（Er的1．54μm峰）显著增大，发光单色性等也有明显改善。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱；对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。
周必忠雷红兵肖方方
关键词：砷化镓光致发光
用双光源光电容法研究GaAs[*v1-x*]Fx中深能级缺陷
周必忠黄景昭陈世帛
关键词：晶体缺陷能级砷化合物镓化合物磷化合物
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共2页<12>
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