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GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Al_xGa_(1-x)As/AlAs超晶格的喇曼散射对比研究被引量：2: 1999年; 报道不同层厚的ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ及ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在非共振条件下，观察到ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＧａＡｓＬＯ限制模和限制在ＡｌＡｓ层中的ＡｌＡｓＬＯ限制模，还观察到ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＡｌＡｓＬＯ限制模和限制在ＧａＡｓ层中的ＧａＡｓＬＯ限制模．在近共振条件下，还观察到了ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中ＡｌＡｓ的界面模．根据线性链模型，把测量的ＬＯ限制模的频率按照ｑ＝ｍｎ＋１２πα０展开，给出了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶的类ＡｌＡｓ支和类ＧａＡｓ支光学声子色散曲线．; 张旺韩和相陈晔李国华汪兆平; 关键词：超晶格喇曼散射

InAlAs/AlGaAs自组织量子点材料的光学性质研究: 自组织量子点是目前国际上的研究热点之一,最近宽带隙的InAlAs/AlGaAs量子点由于是实现红光量子点激光器的理想材料而受到人们的重视.在该工作中,作者采用变温,变激发功率的常压和静压光致发光技术,研究了几种Ⅲ-V族半...; 陈晔; 关键词：自组织量子点

不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱: 2000年; 在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0; 陈晔张旺李国华韩和相汪兆平周伟王占国; 关键词：ALGAAS INALAS 量子点

生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究被引量：1: 2001年; 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带; 陈晔李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国; 关键词：光致发光谱

多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究: 2000年; 测量了自组织多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点的变温光致发光谱,同时观察到来自浸润层和量子点的发光,首次直接观察到了浸润层和量子点之间的载流子热转移.分析发光强度随温度的变化发现浸润层发光的热淬灭包括两个过程:低温时浸润层的激子从局域态热激发到扩展态,然后被量子点俘获;而温度较高时则通过势垒层的X能谷淬灭.利用速率方程模拟了激子在浸润层和量子点间的转移过程。; 陈晔张旺李国华朱作明韩和相汪兆平周伟王占国; 关键词：量子点光致发光

(n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究: 1999年; 报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０模和Ｔ０模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与（ｎ１１）指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。; 张旺李国华朱作明陈晔韩和相汪兆平周伟孙中哲; 关键词：喇曼散射半导体

半导体低维结构的压力光谱研究被引量：2: 2005年; 研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关.; 李国华陈晔方再利马宝珊苏付海丁琨; 关键词：光致发光量子点半导体低维结构

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陈晔