陈鹏
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：西南大学物理科学与技术学院（电子信息工程学院）更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 有机磁电阻效应研究进展被引量：3
- 2008年
- 介绍了近年国际上在π共轭有机半导体中新发现的有机磁电阻效应(Organic magnetoresistance,OMAR)实验和理论的研究进展,展望了有机磁电阻效应的应用和研究。有机磁电阻效应不仅具有各向同性、常温下大磁电阻率和高磁场灵敏度的特点,而且不同于传统的磁电阻效应和目前广泛研究的巨磁电阻效应(Giant magnetoresistance, GMR),其结构中不包含磁性材料也没有外部极化自旋的注入,是有机半导体的一种内禀性质。
- 余天李定国李杏清高春红吕铃郝身芬王良民张兆刚陈鹏
- 关键词：磁电阻效应
- 石墨薄膜电阻开关特性的研究被引量：1
- 2018年
- 采用磁控溅射法以高纯石墨为靶材在单晶硅(100)上制备了石墨薄膜,通过SEM扫描表征其表面形貌以及截面厚度,利用XRD对石墨薄膜的晶体结构进行分析,再运用Keithley 2400对器件的I-V曲线进行测试.研究发现,通过磁控溅射得到的Si/C/Ag结构的器件具有明显的双极电阻开关效应,在一开始时,电阻开关比可以达到105倍,继续扫描直至曲线达到稳定状态后的比值也在103左右.这种显著的电阻开关特性经过研究被认为是石墨在溅射过程中形成稳定的缺陷对载流子的俘获和释放,使得器件的电阻突变而导致的.
- 李小平梁丹丹吴建洪贾湘江陈鹏
- 关键词：电阻开关石墨磁控溅射
- Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO薄膜器件光控电阻开关特性研究
- 2021年
- 采用射频磁控溅射技术在ITO衬底上制备了BiFeO_(3)/CoFeB双层膜。在Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO结构中观察到双极性电阻开关效应。样品的电阻开关特性可以通过白光调制。本工作可用于Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO纳米薄膜器件探索光学控制非易失性存储器器件中的多功能材料和应用。
- 李秀林陈鹏
- 关键词：电阻开关光控
- 矫顽力可调的多孔硅基Fe膜被引量：2
- 2006年
- 采用电化学腐蚀法制备了不同多孔度的多孔硅(PS),再通过磁控溅射法在该PS衬底上沉积了一定厚度的Fe膜;并对样品进行了X射线衍射的结构分析、扫描隧道显微技术的表面形貌观察和磁光克尔效应的测量.发现在同一Fe膜厚度下,相对于参考样品硅上的Fe膜,多孔硅上Fe膜的矫顽力更大;同时观察到多孔硅基Fe膜随着PS多孔度的增加,矫顽力相应变大;而对于多孔度相同的多孔硅基样品,随着Fe膜厚度的增加矫顽力却逐步减小.得出了多孔硅特有的海绵状疏松结构能有效调节Fe膜矫顽力大小的结论.
- 邱学军张云鹏何正红白浪刘国磊王跃陈鹏熊祖洪
- 关键词：多孔硅矫顽力
- 模板法合成分叉Ni纳米线阵列及其磁性能被引量：1
- 2011年
- 首先采用三次阳极氧化法制备了具有Y形孔道的氧化铝(AAO)模板,然后采用直流电化学沉积法,在模板内成功合成了分叉Ni纳米线的有序阵列。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的晶体结构和形貌进行了表征测试。结果表明,制备的Ni纳米线分布均匀、排列有序,呈Y形分叉结构,其主干和分支的直径分别约为75和50nm。磁性测试结果显示分叉Ni纳米线阵列具有明显的磁各向异性,在垂直磁记录介质和纳米电子器件组装方面具有潜在应用前景。
- 郭庆秦丽溶赵建伟郝永皓李国庆陈鹏
- 关键词：氧化铝模板纳米线磁性
- 限制电流对Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO忆阻器的开关比和稳定性调控被引量：1
- 2022年
- 利用磁控溅射技术沉积了Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO多层薄膜,观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控.在限制电流大小为10^(-2)A时,器件中的电阻开关现象达到最优.Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO多层薄膜的电阻开关具有良好的可重复性和稳定性.本文使用空间限制电流的传导模型对Ta/BaTiO_(3)/Al_(2)O_(3)/ITO器件中受限制电流调控的电阻开关传导机理进行了解释.
- 何朝滔卢羽李秀林陈鹏
- 关键词：电阻开关焦耳热
- 不同气氛沉积和后退火处理的HfO_(x<2)薄膜的弱铁磁性
- 2012年
- 无磁性掺杂HfO2薄膜的室温弱铁磁性是2004年发现的一种不能用传统固体铁磁理论释的奇特磁现.本文用射频磁控溅射方法在不同气中制备和后退火HfOx薄膜样品,对比研究气对其室温弱铁磁性的影响.物析表明,室温沉积在蓝石衬底上的HfOx薄膜为部晶的单斜多晶薄膜,且存在一定程度的氧失配.室温磁性测量果显示HfOx<2多晶薄膜具有典型的弱铁磁性磁化曲,且饱和磁矩具有各异性.对比实验果表明,缺氧气(纯氩或氩氮混合气)中沉积薄膜的和磁矩略大于富氧气(氩氧混合气)中沉积薄膜的和磁矩.缺氧气(纯氮和高真空)中后退火处理后,薄膜饱和磁矩随着退火温度的升高而增大;而纯氧气中后退火处理后,薄膜和磁矩大幅减小.沉积和后退火气中氧含量的高低对薄膜和磁矩的显影响表明氧空位是HfOx<2薄膜弱铁磁性的要来源之一.
- 周广东陈显峰涂雅婷张守英刘志江李建陈鹏邱晓燕
- 关键词：射频磁控溅射
- 金属-绝缘体颗粒膜的巨霍尔效应研究进展
- 2007年
- 介绍了金属-绝缘体颗粒膜巨霍尔效应的研究背景及样品的制备与测量,总结了近年来该领域的研究进展和应用前景,最后对研发应用中存在的问题和趋势提出了自己的看法。
- 郝身芬王良民张兆刚余天李杏清李定国陈鹏
- 关键词：逾渗阈值
- NiO纳米碗状阵列的低压电阻开关特性
- 2023年
- 我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二维阵列.在nb-NiO阵列上覆盖厚约20 nm的HfO_(2)薄膜,然后制备Ag或Pt点电极形成Ag(Pt)/HfO_(2)/nb-NiO/Pt堆栈器件.器件在小于±0.4 V的翻转电压下即可在高低电阻态之间周期性可逆跳变,表现出良好的电阻开关特性:器件在高低电阻态之间翻转的时间<8.7μs;初始高/低电阻比值~10^(4),连续测试1500个周期后依然>10^(3).断电后,器件稳定在高(低)电阻态的时间>104s.纳米碗状阵列结构使得NiO薄膜厚度在150–450 nm内周期性连续变化;由于氧空位导电细丝更易在厚度较小的纳米碗底部导通,因此碗状阵列结构使得原本空间随机分布的氧空位导电细丝通道具有了局域有序性,进而提升了器件电阻开关性能的稳定性.HfO_(2)薄膜层降低了器件漏电流,提高了器件的高/低电阻值比.Ag电极与氧离子的氧化还原反应加速了氧空位导电细丝的导通和断裂,从而降低了翻转电压.
- 殷元祥谢雨莎陈涛张涛陈鹏陈鹏
- 关键词：低电压
- BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜的光电特性
- 2018年
- 利用磁控溅射方法在单晶n型Si(100)片上生长了BiFeO_3-BaTiO_3颗粒薄膜,研究了BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜在不同退火温度下的光电特性.实验结果表明,随着退火温度的升高,样品的光伏效应和光电导效应逐渐变大,这应该来源于BiFeO_3与BaTiO_3晶粒尺寸随退火温度增加而增加的特性.在400℃, 500℃和600℃退火的样品的光伏电压分别为90, 240和250 mV,其光电流与暗电流比率分别为28, 50和126.所有样品均具有良好的铁电性,在光照(光强20 mW/cm^2的白炽灯)条件下, 600℃退火样品的铁电电滞回线相比无光照时发生了明显的变化,样品的饱和电极化强度增大了2.3倍. BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜材料除了有显著的光伏效应和光电导效应外,光对它的铁电特性也有显著的调控作用.这可能对该材料在光电性能领域的应用有一定的促进作用.
- 汤圆圆刘泳宏孙柏陈鹏
- 关键词：光电特性退火温度
