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雷远清

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：贵州大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇基板
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体集成
  • 6篇阵列
  • 6篇发光
  • 6篇LED阵列
  • 4篇三基色
  • 4篇基色
  • 3篇多量子阱
  • 3篇蓝色LED
  • 3篇半导体工艺
  • 3篇TFT
  • 3篇彩膜
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻薄膜
  • 2篇薄膜电阻
  • 1篇电阻材料
  • 1篇顶面
  • 1篇掩膜
  • 1篇气相

机构

  • 11篇贵州大学

作者

  • 11篇雷远清
  • 11篇邓朝勇
  • 9篇杨小平
  • 9篇杨利忠
  • 9篇胡绍璐
  • 2篇张荣芬
  • 2篇崔瑞瑞

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...
邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
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高性能薄膜电阻
本实用新型公开了一种高性能薄膜电阻，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜，在每个电阻薄膜的两侧及两侧边缘设有采用气相沉积法获得的引出电极及顶部电极，引出电极与顶部电极连接为一体，在电阻薄膜的顶面及顶...
邓朝勇雷远清崔瑞瑞张荣芬
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一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...
邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
一种TFT-LED彩色阵列显示基板
本实用新型公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型GaN层，...
邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
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一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显...
邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板
本实用新型公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显示。其特...
邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
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一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板
本实用新型公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及...
邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
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一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...
邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
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一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...
邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
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一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
本发明公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显...
邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
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