胡绍璐
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 一种TFT-LED彩色阵列显示基板
- 本实用新型公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型GaN层，...
- 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
- 文献传递
- 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显...
- 邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
- 一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...
- 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
- 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板
- 本实用新型公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及...
- 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
- 文献传递
- 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板
- 本实用新型公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显示。其特...
- 邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
- 文献传递
- 一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...
- 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清
- 文献传递
- 快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响
- 2014年
- 利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。
- 胡绍璐赵海臣李林华任丽邓朝勇
- 关键词：退火温度铁电性能
- 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...
- 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
- 文献传递
- 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...
- 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐
- 文献传递
- 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法
- 本发明公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显...
- 邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清
- 文献传递
