黄懋容
- 作品数：10 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 水结构的正电子湮没研究被引量：2
- 1998年
- 正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰和水具有相同的电子结构。由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成水分子集团，这个基团在范德瓦尔斯色散力的作用下生成宏观水。水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原子力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。
- 郭应焕张仁武王蕴玉杨巨华黄懋容
- 关键词：正电子电子结构
- 掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
- 1990年
- 本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
- 黄懋容何永枢顾华王蕴玉张乐潓林成天刘海润
- 关键词：正电子湮没钆镓石榴石晶体钙
- 用正电子湮没研究ZnO陶瓷压敏元件
- 黄懋容顾华陈孝琛
- 关键词：压敏电阻器氧化锌陶瓷导电性湮灭
- 用正电子湮没研究中子辐照Si被引量：2
- 1997年
- 硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1
- 黄懋容王蕴玉杨巨华何永枢郭应焕刘彩池
- 关键词：中子辐照正电子湮没硅半导体
- 用正电子湮没研究不同条件下生长的正酸钙单晶
- 黄懋容杨巨华常英传
- 关键词：钒酸盐钙化合物晶体生长湮灭晶体缺陷
- 掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
- 1996年
- 用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。
- 黄懋容王蕴玉杨巨华何永枢郭应焕孙同年
- 关键词：正电子湮没半导体磷化铟
- 掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
- 1991年
- 本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。在附色的KCl晶体中存在明显的F心。S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响。此外还对掺Na^+的KCl单晶正电子湮没机制进行了讨论。
- 黄懋容顾华王蕴玉何永枢杨巨华林建明许承晃
- 关键词：KCL正电子湮没掺杂
- 正钒酸钙单晶的正电子湮没研究
- 1992年
- 本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。
- 黄懋容杨巨华顾华常英传
- 关键词：正电子湮没晶体
- 用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
- 1996年
- ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地减少,电流大幅度地增加。如图1所示,正常态因ZnO电阻大,电流按A回路走,所以起动了机器,当电压加到ZnO的|V_A|时,即达到瞬时过电压后,此时ZnO的电阻突然变得非常小,几乎等于零,这时电流走B回路,因而起到保护仪表或机器的作用。所以ZnO电阻器是一种瞬时过电压抑压器。 ZnO压敏电阻器的导电机制和组分微观结构等问题在国外虽然研究得十分活跃,但尚未搞清楚;国内在这方面的研究报道得也很少。ZnO陶瓷的非欧姆性质是由在ZnO晶粒之间的高电阻晶界层引起的。
- 黄懋容顾华何永枢王蕴玉杨巨华陈孝琛
- 关键词：正电子湮没电阻器氧化锌陶瓷
- 用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP被引量：1
- 1996年
- 用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
- 黄懋容王蕴玉杨巨华韩玉杰孙同年
- 关键词：正电子湮没半导体磷化铟
