杨巨华
- 作品数：16 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信建筑科学核科学技术更多>>
- 用激光诱导产生^1O2的正电子湮没研究
- 1998年
- 用正电子素ｏ－Ｐｓ研究以亚甲兰为光敏剂在甲酸和水体系中激光诱导单态氧￣１Ｏ＿２的形成。理论推导了ｏ－Ｐｓ湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系。
- 王蕴玉张仁武郭应焕杨巨华
- 关键词：正电子素激光诱导光敏剂亚甲兰
- 水结构的正电子湮没研究被引量：2
- 1998年
- 正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰和水具有相同的电子结构。由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成水分子集团，这个基团在范德瓦尔斯色散力的作用下生成宏观水。水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原子力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。
- 郭应焕张仁武王蕴玉杨巨华黄懋容
- 关键词：正电子电子结构
- 时效对铜基形状记忆合金马氏体相变缺陷的影响
- 何永枢杨巨华李建华
- 关键词：铜基合金马氏体转变时效湮灭形状记忆合金
- 正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示被引量：1
- 1998年
- 正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出各成分的寿命τi及其零时相对湮没强度Ii(O).指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果并不合理,只有正电子在各湮没态上的零时相对占有数Ni(O)=τiIi(O)或占有率ni(O)=Ni(O)/∑Ni(O)才有明确的物理意义,因为正电子在态上的几率密度ni(O)与正电子湮没环境介质的结构特性密切相关.并以二态捕获模型为例对上述论点作了证明.
- 郭应焕杨巨华
- 关键词：正电子湮没几率密度
- 用正电子湮没研究中子辐照Si被引量：2
- 1997年
- 硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1
- 黄懋容王蕴玉杨巨华何永枢郭应焕刘彩池
- 关键词：中子辐照正电子湮没硅半导体
- 用正电子湮没研究不同条件下生长的正酸钙单晶
- 黄懋容杨巨华常英传
- 关键词：钒酸盐钙化合物晶体生长湮灭晶体缺陷
- 铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究
- 1989年
- 铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧。
- 何永枢顾华杨巨华周光明杨建华赵连城雷廷权
- 关键词：形状记忆合金马氏体正电子湮没
- 掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
- 1996年
- 用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。
- 黄懋容王蕴玉杨巨华何永枢郭应焕孙同年
- 关键词：正电子湮没半导体磷化铟
- 嵌段共聚物胶束形成的正电子湮没研究被引量：2
- 1994年
- 嵌段共聚物被誉为高分子合金,有着广泛的用途.嵌段共聚物在选择性溶剂中的胶束形成及其行为多年来引起人们广泛的注意.尽管至今用了许多实验手段进行了研究,然而对于这种胶束生成的微观过程的了解还是很不够的.正电子湮没技术对溶液中胶束的生成是十分灵敏的.本文对二嵌段共聚物聚苯乙烯-二甲基硅氧烷(PSDMS)/正庚烷胶束溶液体系作正电子湮没寿命参数测量,研究胶束形成对o-P_s生成机率的关系,为这类嵌段共聚物胶束形成微观机制提供证据.
- 熊兴民杨巨华叶美玲张小莉施良和
- 关键词：正电子湮没嵌段共聚物胶束形成
- 正钒酸钙单晶的正电子湮没研究
- 1992年
- 本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。
- 黄懋容杨巨华顾华常英传
- 关键词：正电子湮没晶体
