亢勇
- 作品数：29 被引量：64H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 氮化镓基半导体紫外探测器的制备与研究
- 氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料.GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景.而使用GaN基半导体光子探测器代替真空管进行紫外探测,也有其...
- 亢勇
- 关键词：紫外探测器氮化镓光电子器件
- 文献传递
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响被引量：6
- 2005年
- 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。
- 亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：GAN伏安特性退火肖特基势垒
- 一种64×1 CTIA读出电路
- 读出电路是焦平面器件的重要组成部分,在与探测器互连之前对读出电路进行测试和筛选以确保焦平面的优异性能。介绍了HL064读出电路的简要原理、工作方式及其驱动脉冲。将读出电路芯片用硅铝丝键压连接入28脚双列直插式管壳中,用P...
- 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊黄剑锋李兴仁
- 关键词：读出电路CTIA
- 文献传递
- 快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计被引量：1
- 2006年
- 快照模式焦平面读出电路的单元电路一般包括前置放大器、采样保持电路、多路开关传输器和缓冲跟随器。在有限的单元面积内完成较高性能的单元电路设计是快照模式焦平面读出电路的难点。考虑到积分电容、采样保持电容、运放补偿电容占据了CMOS电路版图中较多的面积,通过分析计算读出电路各级噪声以及电路总的输出噪声,探讨了上述各种电容对于电路噪声的影响。考虑到紫外探测器的特点,同时在固定其他设计参数的基础上,通过调整电容面积的分配比例,计算了电路可以得到最佳噪声水平的电容大小。结果表明,在目前的工艺和版图限制等条件下,在上述三种电容分别取1.1、0.4、1.2 pF时,输出端噪声电压为最小,达172μV。
- 贾寒昕亢勇李向阳
- 关键词：读出电路紫外焦平面噪声CMOS
- 氮化镓紫外探测器
- 本发明公开了一种探测波长为250－300nm的谐振腔结构的氮化镓(GaN)紫外肖特基型和光导型探测器，其核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜来...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
- 紫外双波段氮化镓探测器
- 本发明公开了一种紫外双波段氮化镓(GaN)探测器，其探测波长为250－300nm和320－365nm。它的核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
- GaN 紫外焦平面注入效率研究
- 本文对CTIA和DI注入结构的GaNpin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究.测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系.
- 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊
- 关键词：GAN焦平面数学仿真
- GaN基p-i-n紫外探测器
- 采用金属有机汽相沉积外延GaN薄膜,制备了两种光敏元结构的p-i-n紫外探测器,利用伏安测试,响应光谱测试和瞬态响应研究了器件的光电特性。伏安测试表明在-5V的偏压下两种器件的暗电流在同一数量级,分别为4.09nA和1....
- 李雪亢勇徐运华李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：紫外探测器响应光谱伏安特性
- 文献传递
- 紫外双波段氮化镓探测器
- 本发明公开了一种紫外双波段氮化镓(GaN)探测器，其探测波长为250-300nm和320-365nm。它的核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
