徐运华
- 作品数：18 被引量：32H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 一种64×1 CTIA读出电路
- 读出电路是焦平面器件的重要组成部分,在与探测器互连之前对读出电路进行测试和筛选以确保焦平面的优异性能。介绍了HL064读出电路的简要原理、工作方式及其驱动脉冲。将读出电路芯片用硅铝丝键压连接入28脚双列直插式管壳中,用P...
- 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊黄剑锋李兴仁
- 关键词：读出电路CTIA
- 文献传递
- 9级时间延迟积分CMOS读出电路
- 本文报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路,具有戽链器件(BBD)结构,其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA).介绍了读出电路的设计,并对该电路进行了功能仿真和流片验证.该芯片采用0.6μm...
- 谢文青徐运华张松方家熊
- 关键词：读出电路TDIBBDCTIA时间延迟积分
- GaN紫外焦平面注入效率研究
- 对CTIA和DI注入结构的GaN pin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究。测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系。
- 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊
- 关键词：GAN焦平面
- 文献传递
- p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器被引量：3
- 2006年
- 报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.
- 游达许金通汤英文何政徐运华龚海梅
- 关键词：ALGAN肖特基极化效应
- 9级时间延迟积分CMOS读出电路
- 报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路,具有戽链器件(BBD)结构,其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计,并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用O.6 μm双...
- 谢文青徐运华张松方家熊
- 关键词：读出电路TDIBBDCTIA
- 文献传递
- GaN 紫外焦平面注入效率研究
- 本文对CTIA和DI注入结构的GaNpin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究.测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系.
- 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊
- 关键词：GAN焦平面数学仿真
- GaN基p-i-n紫外探测器
- 采用金属有机汽相沉积外延GaN薄膜,制备了两种光敏元结构的p-i-n紫外探测器,利用伏安测试,响应光谱测试和瞬态响应研究了器件的光电特性。伏安测试表明在-5V的偏压下两种器件的暗电流在同一数量级,分别为4.09nA和1....
- 李雪亢勇徐运华李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：紫外探测器响应光谱伏安特性
- 文献传递
- GaN 64元线列紫外焦平面频率特性
- 采用PI-4000系列测试系统对GaN64元线列焦平面进行测试,获取在不同频率下的线列焦平面性能,确定其最高工作频率,并对影响其最高工作频率的因素进行了分析,寻求提高最高工作频率,压缩读出时间,延长积分时间的途径。测试结...
- 张松徐运华谢文青亢勇李雪方家熊黄剑锋李兴仁
- 关键词：GAN紫外焦平面读出电路频率特性
- 文献传递
- 可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响被引量：4
- 2006年
- GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响,最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。
- 贾寒昕徐运华亢勇李向阳
- 关键词：焦平面读出电路紫外可见光GAN
