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夏梦姣

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇相变材料
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇存储器
  • 5篇复合相变
  • 5篇复合相变材料
  • 4篇微晶
  • 4篇相变
  • 3篇晶粒
  • 3篇晶粒尺寸
  • 3篇尺寸
  • 2篇随机存取
  • 2篇嵌入式
  • 2篇料层
  • 2篇晶态
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻版
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶态
  • 2篇非易失性

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇夏梦姣
  • 10篇宋志棠
  • 10篇饶峰
  • 4篇刘波
  • 3篇封松林
  • 2篇陈邦明
  • 1篇吴良才

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合相变材料及制备方法
本发明公开了一种微晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合而成，其...
宋志棠夏梦姣饶峰刘波封松林
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一种相变材料的干法刻蚀方法
本发明涉及一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，该方法包括以下步骤：步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；步骤三，利用含氟气体与辅助气体...
夏梦姣饶峰宋志棠吴良才刘波
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相变材料的制备方法
一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Su...
宋志棠夏梦姣饶峰刘波封松林
文献传递
一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器
本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F<Sup>2</Sup>以下，所使用的相变材料为：二元材料Sb<Sub>x</Sub>M<Sub>100-x</Sub>，40≦x...
饶峰宋志棠夏梦姣
文献传递
微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法
本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本...
饶峰夏梦姣宋志棠陈邦明
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一种微晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合相变材料及制备方法
本发明公开了一种微晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>复合而成，其...
宋志棠夏梦姣饶峰刘波封松林
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相变存储材料及其制备方法
一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-Sb<Sub>x</Su...
宋志棠夏梦姣饶峰
相变存储材料及其制备方法
一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1-x</Sub>材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-Sb<Sub>x</Su...
宋志棠夏梦姣饶峰
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微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法
本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本...
饶峰夏梦姣宋志棠陈邦明
一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器
本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F<Sup>2</Sup>以下，所使用的相变材料为：二元材料Sb<Sub>x</Sub>M<Sub>100-x</Sub>，40≦x...
饶峰宋志棠夏梦姣
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