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姚冬敏

作品数:7 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇包裹体
  • 2篇LI
  • 1篇电子探针
  • 1篇性能研究
  • 1篇熔体
  • 1篇四面体
  • 1篇提拉法
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇体缺陷
  • 1篇透射
  • 1篇透射光
  • 1篇透射光谱
  • 1篇硼酸
  • 1篇温度依赖
  • 1篇晶体缺陷
  • 1篇化学键
  • 1篇急冷
  • 1篇固态

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇姚冬敏
  • 4篇宋桂兰
  • 4篇袁兰英
  • 4篇齐雪君
  • 2篇仲维卓
  • 2篇任国浩
  • 2篇李焕英
  • 2篇陆晟
  • 2篇王绍华
  • 2篇秦来顺
  • 2篇李赟
  • 2篇陈俊锋
  • 1篇丁栋舟

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇上海先进无机...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
BGO晶体的缺陷与性能—(1)缺陷及其形成
2004年
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的宏观缺陷。用光学显微镜和电子探针对宏观缺陷内的包裹体进行研究发现 :包裹体大部分为固态包裹物 ;不同宏观缺陷内的包裹体 ,其形状、大小和成份都具有典型特征。
姚冬敏齐雪君宋桂兰袁兰英仲维卓
关键词:包裹物固态包裹体电子探针
BGO熔体急冷自发结晶形貌
2004年
本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌。在急冷的条件下 ,组成BGO的各个面族自由发育。 { 3 2 1 }面族、{ 2 1 1 }面族和 { 1 1 1 }面族都是按 [GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的 ,生长速度快 ,优先显露 ,在熔体急冷时保留下来。表面形貌显露不完整的 { 1 0 0 }面族是 [GeO4]4-四面体以棱相连所对应的面族 ,生长速度较慢 ,尚未显露完全熔体就已冷却。从生长速度考虑 ,在实际生长晶体时以 [3 2 1 ]、[2 1 1 ]、[1 1 1
宋桂兰姚冬敏齐雪君袁兰英仲维卓
关键词:熔体急冷表面形貌四面体化学键
Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能被引量:1
2006年
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体.XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21/c空间群.对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因.晶体在380-800nm之间的透过率接近90%, 200-380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的.不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移.该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30.74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:晶体生长
BGO晶体中的缺陷与性能—(1)缺陷与透光性能
本文主要研究了Bridgman生长法生长的大尺寸BGO晶体中的缺陷形成的缺陷对透光性能的影响.
姚冬敏
关键词:晶体缺陷包裹体
文献传递
硅酸镥和铝酸镥闪烁晶体的生产与性能研究
任国浩陆晟丁栋舟李焕英秦来顺姚冬敏
该项目直接测出该晶体的解理面为(110),明确了该晶体开裂的根本原因,从而为晶体生长方向的选择指明了方向;发现晶体中的光散射中心为氧化镥固体颗粒,其成因与熔体中氧化硅组分比氧化镥更容易挥发所致,并通过采用富氧化硅组分的原...
关键词:
关键词:晶体生长
Lu_2Si_2O_)7∶Ce晶体的闪烁性能被引量:2
2006年
用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。
李焕英秦来顺姚冬敏陆晟任国浩
关键词:透射光谱
光激发下Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性被引量:3
2007年
研究了80-500K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定,低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:发光温度依赖
共1页<1>
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