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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇LI
  • 1篇提拉法
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇硼酸
  • 1篇温度依赖
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇光激发
  • 1篇发光
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇CE

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇宋桂兰
  • 2篇袁兰英
  • 2篇齐雪君
  • 2篇姚冬敏
  • 2篇王绍华
  • 2篇李赟
  • 2篇陈俊锋

传媒

  • 2篇无机材料学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能被引量:1
2006年
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体.XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21/c空间群.对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因.晶体在380-800nm之间的透过率接近90%, 200-380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的.不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移.该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30.74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:晶体生长
光激发下Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性被引量:3
2007年
研究了80-500K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定,低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
关键词:发光温度依赖
共1页<1>
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