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宁提

作品数：53 被引量：10H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 25篇探测器
  • 25篇红外
  • 18篇芯片
  • 16篇红外探测
  • 16篇红外探测器
  • 15篇碲镉汞
  • 9篇焦平面
  • 8篇红外焦平面
  • 7篇探测器芯片
  • 6篇电路
  • 6篇读出电路
  • 6篇碲镉汞红外探...
  • 6篇焦平面探测器
  • 5篇电极
  • 5篇红外焦平面探...
  • 4篇预设
  • 4篇碲化镉
  • 4篇面阵
  • 4篇膜层
  • 4篇夹具

机构

  • 53篇中国电子科技...

作者

  • 53篇宁提
  • 18篇谭振
  • 11篇张敏
  • 11篇王成刚
  • 7篇孙浩
  • 6篇刘铭
  • 6篇周立庆
  • 6篇李忠贺
  • 5篇谢珩
  • 5篇李春领
  • 5篇王经纬
  • 5篇刘明
  • 4篇陈慧卿
  • 3篇喻松林
  • 3篇王鑫
  • 3篇张鹏
  • 3篇马涛
  • 3篇梁宗久
  • 3篇高达
  • 3篇付志凯

传媒

  • 3篇激光与红外

年份

  • 3篇2024
  • 8篇2023
  • 8篇2022
  • 10篇2021
  • 10篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
甚高分辨率红外探测器芯片与读出电路芯片倒装互连方法
本发明公开了一种甚高分辨率红外探测器芯片与读出电路芯片倒装互连方法，该方法包括：通过倒装焊设备预压红外探测器芯片与读出电路芯片，使红外探测器芯片与读出电路芯片初步互相连接；通过超大压力键合设备压焊经过预压后初步互相连接的...
谢珩宁提谭振王骏邓大伟
文献传递
红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的读出电路
本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法及制得的红外探测器读出电路，本发明通过在读出电路上涂覆光刻胶，并在读出电路的预设位置制备铟凸点，再去除光刻胶上的铟层，然后在铟凸点上重复镀铟、去除光刻胶上的铟层，直到得到预...
谢珩刘明张敏宁提张鹏谭振
引出组件及红外探测器
本发明提出了一种引出组件及红外探测器，引出组件用于多片拼接芯片的电学引出，引出组件包括：多个第一连接件、多个第二连接件和整合组件。每个第一连接件均具有连接端和第一插件，连接端与芯片连接。每个第二连接件均具有第二插件和第三...
马静付志凯王成刚宁提徐长彬
文献传递
混成式芯片的清洗装置及清洗方法
本发明提出了一种混成式芯片的清洗装置及清洗方法，清洗装置，包括：喷淋器、载板及清洁刷，喷淋器用于喷洒清洗液；载板可移动地设于喷淋器的清洗液喷洒区域，载板设有多个用于盛放待清洗混成式芯片的容纳槽；清洁刷与载板相抵且相对运动...
马腾达宁提王成刚
一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具
本实用新型提出了一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具，所述石英夹具为等边三棱柱结构且内部中空，所述石英夹具的三侧壁厚度均匀。在热处理过程中，将碲镉汞外延材料片放到石英夹具上，再将所述石英夹具放入石英管中。所述石英夹具的内壁...
宁提赵东生
文献传递
一种HgCdTe芯片的PN结及电极接触孔的制备方法
本发明公开了一种HgCdTe芯片的PN结及电极接触孔的制备方法，包括：在HgCdTe芯片的P型区表面层涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶使其形成接触孔，接触孔的底端即P型区表面层；将制备接触孔后的HgCdTe芯片放置于真空环境中；使...
陈书真喻松林周震杨茂生祁娇娇宁提赵旭豪白雪飞王成刚
一种红外探测器背减薄的限位粘接模具
本发明公开了一种红外探测器背减薄的限位粘接模具，包括限位层和导热层；所述导热层，呈圆台结构，所述圆台结构的上表面设置有目标图案，且所述圆台结构的凸起部分的直径与所述限位层的内径相匹配；所述限位层，套设于所述导热层的圆台结...
张伟婷宁提李忠贺曹凌霞李春领
用于芯片加工的操作装置及芯片的装片方法
本发明提出了一种用于芯片加工的操作装置及芯片的装片方法。操作装置包括：壳体和循环风道，壳体限定出密封的操作腔室，壳体开设有与操作腔室连通的进气口、出气口以及可打开和关闭的操作口。循环风道的进风口与出气口连通，循环风道的出...
宁提祁娇娇朱志雄
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一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法
本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，本发明在硅基碲化镉的最后阶段，即硅基碲化镉经过高温退火之后，增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层，且不经退火，实验证明，该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下，从而...
高达王丛王经纬刘铭宁提
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芯片电极的制备方法及制备装置
本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置，制备方法包括：将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极；对形成电极的芯片进行加热，达到第一预设温度后维持预设时间；在真空腔室内，对芯片进行降温，使芯片降温至第二预...
王鑫谭振祁娇娇宁提周立庆
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