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张凯敏

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 6篇约瑟夫森结
  • 4篇碳化硅
  • 4篇相干
  • 4篇纳米
  • 4篇衬底
  • 3篇单晶
  • 3篇半导体
  • 2篇带隙
  • 2篇低粗糙度
  • 2篇低功耗
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇电路元件
  • 2篇电迁移
  • 2篇电容耦合
  • 2篇电输运
  • 2篇电输运性质
  • 2篇电子器件

机构

  • 18篇天津大学

作者

  • 18篇张凯敏
  • 8篇田昊
  • 7篇李睿
  • 3篇赵健
  • 2篇马彦青
  • 2篇董刚
  • 2篇赵梅

年份

  • 12篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2012
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法
本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶，半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米，且生长在碳化硅衬底表面，半...
马雷张凯敏田昊郝路珍景怡佳
一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法
本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法：包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管，石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面；石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、...
马雷李睿张真真张凯敏纪佩璇
一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种超大单晶畴半导体石墨烯及其制备方法，该半导体石墨烯为单层且均匀生长，半导体石墨烯的晶畴宽度可达500微米，长度为亚厘米量级，室温迁移率至少达到4500cm<Sup>2</Sup>/...
马雷赵健李雅奇边博岳李睿张凯敏纪佩璇
基于电子束图案化还原氧化石墨烯温度传感器及制备方法
本发明属于纳米传感器技术领域，公开了一种基于电子束图案化还原氧化石墨烯温度传感器及制备方法，温度传感器包括温敏层、电极层和支撑层；由聚焦的高能电子束对氧化石墨烯薄膜进行图案化还原，得到还原氧化石墨烯薄膜作为温敏层；电极层...
马雷郝路珍张凯敏马彦青
以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法
一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所...
马雷沃尔特·亚历山大·德斯海尔纪佩璇张凯敏赵健赵梅
文献传递
带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法
本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶，半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米，且生长在碳化硅衬底表面，半...
马雷张凯敏田昊郝路珍景怡佳
一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法
本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法：包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管，石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面；石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、...
马雷李睿张真真张凯敏纪佩璇
量子芯片及其制备方法
本发明提供了一种量子芯片及其制备方法。量子芯片包括衬底、超导量子比特、偏置层和激励层。超导量子比特设置在衬底上，超导量子比特包括并联两个约瑟夫森结。两个约瑟夫森结中的至少之一包括第一超导层；第二超导层与第一超导层在高度方...
马雷张凯敏郝路珍田昊
旅游房地产开发模式及其与城市发展的互动关系
从2010年以来,我国政府针对旅游业的产业定位与发展策略都有了重大调整,旅游业被确定为“国民经济战略性支柱产业”,《关于加快发展旅游业的意见》、《旅游行业十二五规划》等政策意见相继出台。旅游业在产业结构调整、拉动内需增长...
张凯敏
关键词：旅游房地产城市发展互动关系
基于二维材料的电路元件的制备方法和逻辑电路
本发明提供一种基于二维材料的电路元件的制备方法和逻辑电路，基于二维材料的电路元件的制备方法包括：在衬底上生长二维材料；在衬底上形成覆盖二维材料的第一介电层；按照预定图形，去除位于衬底上的目标区域的第一介电层材料和二维材料...
马雷李睿张凯敏郝路珍田昊
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