张文鹏
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析
- 2023年
- 随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.
- 贾晓菲魏群张文鹏何亮武振华
- 关键词：热噪声纳米MOSFET短沟道效应
- 一种抗浪涌保护器件的研制
- 半导体过压保护器件是一种新型的电压抑制器。由于其响应速度快、体积小、性能稳定、短路保护及单位面积吸收浪涌能力强而广泛地应用于通信设备的抗浪涌保护电路中。半导体过压保护器件的工作原理和基本结构与晶闸管类似，大多采用两端四层...
- 张文鹏
- 关键词：半导体保护器件
- 文献传递
