魏群
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市功能高分子重点实验室开放基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 高压高温下Re_2N的弹性和热力学性能(英文)被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，系统研究高压高温下Re2N的晶体参数、力学性能和热力学性能。结果表明：在高压下Re2N具有明显的弹性各向异性，与弹性常数C12、C13、C44相比，C11和C33的变化随着压力的变化非常明显。此外，首次计算Re2N的体弹模量B、弹性模量E和剪切模量G沿不同晶轴的分布。弹性模量在一些主要晶轴方向上的大小分布趋势如下：[0001][1211][1010][1011]EEEE〉〉〉。计算结果还表明：在（0001）晶面，Re2N的抗剪切能力是最低的，从而极大地减小对大剪切变形的阻力。基于准简谐德拜模型，在0~50GPa压力和0~1600K温度下得到德拜温度、格林艾森参数、热传导以及热扩散系数的变化行为。
- 张美光闫海燕魏群黄多辉
- 关键词：弹性性能热力学性能
- 体硅价带结构的MATLAB计算
- 2023年
- 能带结构在固体物理/半导体物理的教学及相关科研活动中占有重要地位.本文从理论上推导了体硅的价带E~k色散关系模型,利用MATLAB语言编程绘制了体硅价带E~k色散关系图及等能面图,通过对价带顶处色散曲线进行抛物线拟合,获得了体硅各晶向空穴有效质量,所得有效质量结果与其他理论计算及实验测量结果符合较好.
- 付志粉马建立魏群
- 关键词：体硅MATLAB
- Nb掺杂LiFePO_4电子结构的第一性原理研究被引量：5
- 2013年
- 采用基于DFT的第一性原理方法,研究Nb掺杂LiFePO4锂离子电池正极材料的电子结构,并进行能带结构、电子态密度、布居和差分电荷密度性质等分析。结果表明:Nb掺杂后体系结构稳定,带隙降低,由于Nbd轨道电子的作用,使费米面附近能带数增加,更有利于电子传递,使电子电导率增加,充放电速率提高;Li-O键键长明显变大,有利于Li离子的扩散。虽然掺杂量大,带隙下降多,但会影响Li离子的扩散,尤其是在Li位掺杂时。综合考虑掺杂量不需要太大。
- 张培新张冬云黄磊惠文彬魏群宋申华
- 关键词：LIFEPO4掺杂态密度
- 10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析
- 2023年
- 随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.
- 贾晓菲魏群张文鹏何亮武振华
- 关键词：热噪声纳米MOSFET短沟道效应
- 20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析
- 2022年
- 传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声。其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式。在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命。
- 贾晓菲贾晓菲魏群丁兵陈文豪
- 关键词：热噪声
- 钛硼化物的结构、力学和电子性质的第一性原理研究(英文)被引量：3
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了过渡族金属钛硼化物(Ti2B,TiB和TiB2)的晶体参数、力学性能和电子性质。晶格参数的计算结果与实验值以及其它理论计算值吻合得很好。弹性常数的计算结果表明,这3种硼化物在常压下都是力学稳定的。与金属钛相比(120GPa),3种硼化物的体弹模量都很大且随着硼含量的增加而增加,这可能是由金属晶格中引入的硼原子与钛原子之间形成定向共价键引起的。除TiB2外,TiB具有较大的体弹模量和剪切模量,可以视作为一种具有良好抗压性质的硬质材料。此外,对这几种硼化物的弹性各向异性性质和德拜温度也进行了讨论。电子态密度和原子电荷布居分析表明,这3种硼化物的化学键成分同时包含了共价、离子和金属成分。
- 闫海燕魏群常少梅郭平
- 关键词：第一性原理计算态密度
- 单轴应力锗能带结构研究被引量：1
- 2012年
- 用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
- 马建立张鹤鸣宋建军魏群王晓艳王冠宇徐小波
