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张灶利

作品数：14 被引量：19H指数：2
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇偏聚
  • 3篇晶界
  • 3篇晶界偏聚
  • 3篇硅化物
  • 3篇非平衡偏聚
  • 2篇碳钢
  • 2篇能谱
  • 2篇回火
  • 2篇回火脆性
  • 2篇硅化物薄膜
  • 2篇俄歇电子
  • 2篇俄歇电子能谱
  • 2篇脆性
  • 1篇等温
  • 1篇等温处理
  • 1篇低碳贝氏体
  • 1篇低碳贝氏体钢
  • 1篇低碳钢
  • 1篇电路
  • 1篇电子显微镜

机构

  • 14篇北京科技大学
  • 4篇钢铁研究总院
  • 2篇中国科学院

作者

  • 14篇张灶利
  • 6篇余宗森
  • 5篇肖治纲
  • 4篇林清英
  • 4篇杜国维
  • 2篇张崇芳
  • 2篇纪箴
  • 1篇陈宁
  • 1篇王佩璇
  • 1篇刘键
  • 1篇刘键
  • 1篇翟启华

传媒

  • 3篇金属热处理学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇金属学报
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇钢铁研究学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
1999年
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。
刘键王佩璇张灶利
关键词：中子辐照砷化镓退火
Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
1995年
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
张灶利肖治纲杜国维
关键词：集成电路电子显微镜
超低碳钢等温过程中杂质的晶界偏聚研究被引量：1
1999年
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电镜（ＳＥＭ）研究了超低碳钢在９００℃等温时Ｐ、Ｓ、Ｃ、Ｂ等杂质元素在晶界的偏聚问题。结果发现，等温初期Ｐ、Ｂ在晶界的含量出现峰值，保温一定时间后，晶界Ｓ含量也出现峰值，碳的晶界含量随等温时间递增。长时间等温。
张灶利吴旭飚刘登科林清英余宗森
关键词：超低碳钢等温处理俄歇电子能谱
Co-Si化合物薄膜的电子显微学研究
张灶利
关键词：化合物电子显微学
Si衬底上Co薄膜氧化观察
1994年
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
张灶利肖治纲杜国维
磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响被引量：8
1999年
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时，两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例，但并不改变Ｐ的浓度峰值。同时还观察了Ｓ、Ｃ、Ｍｏ 等组元在晶界的偏聚。Ｐ在晶界的浓度峰值可以用磷－空位复合体的非平衡偏聚机制加以解释。
张灶利刘键林清英余宗森刘登科
关键词：中碳钢回火脆性磷非平衡偏聚钼
多组元溶质晶界偏聚动力学
张灶利
关键词：非平衡偏聚
Al－Cu合金G．P．区异常快速形成的复合体机制被引量：1
1996年
用置换溶质原子－空位复合体机制，对Ａｌ－Ｃｕ合金Ｇ．Ｐ．区异常快速形成及相应的现象进行了解释，并与过剩空位机制和位错机制进行了比较。
张灶利张崇芳陈宁余宗森
关键词：铝铜合金
Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究被引量：2
1995年
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．
张灶利肖治纲杜国维
关键词：硅化物薄膜相变电子显微术
连续冷却过程中低碳贝氏体钢的晶界化学被引量：1
1998年
用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体化后炉冷、空冷、油冷和水冷时Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等元素在晶界的偏聚行为。结果发现：在不同冷却速度下，各元素在晶界的偏聚量不同。慢冷速下，Ｂ、Ｐ晶界浓度较高，快冷速下Ｓ晶界浓度较高。Ｃ在晶界的浓度随冷速的提高增加至一定值后趋于平衡。晶界上元素Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ之间，存在化学相互作用及位置竞争现象。用扫描电镜观察了断口形貌。
张灶利林清英余宗森
关键词：低碳贝氏体钢晶界偏聚俄歇电子能谱
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