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肖治纲

作品数：12 被引量：8H指数：2
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇陶瓷
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇铌镁酸铅
  • 3篇介电
  • 3篇硅化物
  • 2篇低温共烧
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电子陶瓷
  • 2篇电子陶瓷材料
  • 2篇多层陶瓷
  • 2篇多层陶瓷电容
  • 2篇多层陶瓷电容...
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇陶瓷电容
  • 2篇陶瓷电容器
  • 2篇堇青石
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇介电陶瓷

机构

  • 12篇北京科技大学

作者

  • 12篇肖治纲
  • 6篇杜国维
  • 5篇张灶利
  • 5篇纪箴
  • 4篇王燕斌
  • 3篇余宗森
  • 3篇马肇曾
  • 2篇刘秀清
  • 2篇张昭瑞
  • 1篇柯俊
  • 1篇袁之良
  • 1篇陈伟
  • 1篇裘宝琴
  • 1篇翟启华

传媒

  • 2篇北京科技大学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇金属学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1989
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
1995年
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
张灶利肖治纲杜国维
关键词：集成电路电子显微镜
Si衬底上Co薄膜氧化观察
1994年
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
张灶利肖治纲杜国维
一种低温共烧堇青石系玻璃－陶瓷基板粉料及其制备方法
本发明公开了一种低温共烧MgO－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>－SiO<Sub>2</Sub>系玻璃－陶瓷基板粉料及其制备方法，是在堇青石2MgO·2Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
纪箴张昭瑞王燕斌肖治纲
文献传递
Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究被引量：2
1995年
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相．４５０℃１小时处理形成单相的ＣｏＳｉ．从本实验结果与前人研究结果对比发现：观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果．
张灶利肖治纲杜国维
关键词：硅化物薄膜相变电子显微术
一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法，属于电子陶瓷材料的制备，特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅-钛酸铅粉料颗粒过大，烧结温度过高，电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法，在较低的温...
纪箴肖治纲刘秀清王燕斌余宗森马肇曾
文献传递
一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法,属于电子陶瓷材料的制备,特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅－钛酸铅粉料颗粒过大,烧结温度过高,电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法,在较低的温...
纪箴肖治纲刘秀清王燕斌余宗森马肇曾
文献传递
Co薄膜的稳定性和室温相观察被引量：1
1999年
用电镜对 Ｓｉ （００１） 基体上的 Ｃｏ 薄膜的室温相和稳定性进行了观察， 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明： 室温下， Ｃｏ 薄膜不发生反应， 室温相为α Ｃｏ， 没有硅化物形成． Ｃｏ 薄膜在经过３００ ℃２ｈ 退火后， 薄膜发生部分凝聚现象， 凝聚团由硅化物组成． ３００ ℃退火后薄膜由 Ｃｏ２ Ｓｉ 和 Ｃｏ Ｓｉ
张灶利郭红霞肖治纲余宗森王桂兰
关键词：稳定性
稀土铁铬铝合金的高温氧化TEM研究被引量：1
1993年
通过透射电镜对Fe-25％Cr-6％Al-RE(富镧)合金氧化行为进行研究.结果表明:经1200℃恒温2h纯氧中氧化,合金中镧以六方La_2O_3微小颗粒沉淀在氧化膜中α—Al_2O_3晶粒的顶端及晶界上。它们阻碍铝向表面扩散,抑制氧化膜的侧向生长;在1200℃/室温之间热循环氧化历程.稀土组元加快了合金的内氧化。它们以氧化铝、氧化镧形式出现,在靠近氧化膜/金属界面,立方La_2O_3颗粒平行于晶界并在合金基体上沉积。
杜国维袁之良肖治纲
关键词：高温氧化氧化镧铁铬铝合金TEM
共沉淀法合成铌镁酸铅──钛酸铅介电陶瓷粉末被引量：3
1995年
通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。
陈伟杜国维马肇曾肖治纲裘宝琴
关键词：共沉淀铌镁酸铅钛酸铅陶瓷
Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察被引量：1
1996年
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生．在真空条件下５００℃处理１小时，薄膜没有氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面形成完整的ＣｏＳｉ２外延层．
张灶利翟启华纪箴肖治纲杜国维
关键词：硅化物薄膜
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共2页<12>
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